Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN

Bibliographische Detailangaben
Parent link:	Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы: тезисы докладов 10-ой Всероссийской конференции, 23-25 марта 2015 г., Санкт-Петербург/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). [С. 45-46].— , 2015
1. Verfasser:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Körperschaft:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Weitere Verfasser:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Zusammenfassung:	Заглавие с экрана
Sprache:	Russisch
Veröffentlicht:	2015
Schlagworte:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online-Zugang:	http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2015.pdf#page=45
Format:	Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648190

Ähnliche Einträge

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
von: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Veröffentlicht: (2007)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
von: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Veröffentlicht: (2008)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
von: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Veröffentlicht: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001)
von: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Veröffentlicht: (2005)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001)
von: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Veröffentlicht: (2009)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
von: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Veröffentlicht: (2008)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures
von: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Veröffentlicht: (2009)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001)
von: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Veröffentlicht: (2006)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Veröffentlicht: (2022)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures
von: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Veröffentlicht: (2006)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
von: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Veröffentlicht: (Новосибирск, 2025)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys
Veröffentlicht: (2012)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects
von: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Veröffentlicht: (2018)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Veröffentlicht: (2016)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2013)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
von: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Veröffentlicht: (2012)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN
von: Менькович Е. А.
Veröffentlicht: (2012)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
von: Васенев А. С.
Veröffentlicht: (2012)

High-voltage MIS-gated GaN transistors
Veröffentlicht: (2017)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
von: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Veröffentlicht: (2015)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Veröffentlicht: (2013)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Veröffentlicht: (2011)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects
von: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Veröffentlicht: (2016)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
von: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Veröffentlicht: (2011)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2015)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
von: Ли Цзысюань
Veröffentlicht: (2017)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
von: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Veröffentlicht: (2012)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Veröffentlicht: (2017)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates
Veröffentlicht: (2019)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN
Veröffentlicht: (2015)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
von: Narita, Tetsuo
Veröffentlicht: (2020)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Veröffentlicht: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
von: Олешко В. И. Владимир Иванович
Veröffentlicht: (2013)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures
von: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Veröffentlicht: (2003)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec
von: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Veröffentlicht: (2001)

К вопросу автоматизированных испытаний силовых коммутационных GaN транзисторов
von: Томашевич А. А.
Veröffentlicht: (2017)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001)
von: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Veröffentlicht: (2003)

Effect of dislocation density on exciton luminescence intensity of GaN epitaxial layers
Veröffentlicht: (2014)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
von: Ерофеев Е. В.
Veröffentlicht: (2017)