Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Sonraí bibleagrafaíochta
Parent link:	Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы.— 2015.— [С. 45-46]
Príomhchruthaitheoir:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Údar corparáideach:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Rannpháirtithe:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Achoimre:	Заглавие с экрана
Teanga:	Rúisis
Foilsithe / Cruthaithe:	2015
Ábhair:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Rochtain ar líne:	http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2015.pdf#page=45
Formáid:	Leictreonach Caibidil leabhair
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648190

Míreanna comhchosúla

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2007)

Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2008)

Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2005)

Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2008)

“Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
de réir: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2009)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
de réir: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2008)

Self-consistent calculation of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) two-barrier heterostructures; Semiconductors; Vol. 40, iss. 6
de réir: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2006)

A “capacitor” model of the hysteresis of tunneling current in w-GaN/AlGaN(0001) structures; Physics of the Solid State; Vol. 51, iss. 1
de réir: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2009)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Foilsithe / Cruthaithe: (2022)

Самосогласованный расчет туннельного тока в двухбарьерных гетероструктурах w-GaN / AlGaN (0001); Физика и техника полупроводников; Т. 40, вып. 6
de réir: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2006)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
de réir: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Foilsithe / Cruthaithe: (Новосибирск, 2025)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
de réir: Narita, Tetsuo
Foilsithe / Cruthaithe: (2020)

Tunneling current in w-GaN/AlN(0001) structures with deep-level defects; Superlattices and Microstructures; Vol. 122
de réir: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2018)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Физическое моделирование GaN/AlGaN HEMTнаногетероструктур и мощных СВЧ-транзисторовс использованием пакета Synopsys; Доклады Томского государственного университета систем управления и радиоэлектроники; № 2 (26), ч. 2
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
de réir: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Defect-rich GaN interlayer facilitating the annihilation of threading dislocations in polar GaN crystals grown on (0001)-oriented sapphire substrates; Journal of Applied Physics; Vol. 126, iss. 8
Foilsithe / Cruthaithe: (2019)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
de réir: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
de réir: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

The effect of internal fields on tunneling current in strained GaN/AlxGa1-x N(0001) structures; Semiconductors; Vol. 37, iss. 4
de réir: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2003)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Тест-система диагностики температурных характеристик светоизлучающих наногетероструктур на основе твердых растворов AlGaN И GaInN; Современные техника и технологии; Т. 3
de réir: Менькович Е. А.
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

High-voltage MIS-gated GaN transistors; Semiconductors; Vol. 51, iss. 9
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2013)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
de réir: Ли Цзысюань
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Resonant electron tunneling in GaN/Ga1-x AlxN(0001) strained structures with spontaneous polarization and piezoeffec; Physics of the Solid State; Vol. 43, iss. 3
de réir: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2001)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
de réir: Олешко В. И. Владимир Иванович
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Peculiarities of tunneling current in w-AlN/GaN(0001) two-barrier structures induced by deep-level defects; Journal of Applied Physics; Vol. 120, iss. 5
de réir: Grinyaev S. N. Sergey Nikolaevich
Foilsithe / Cruthaithe: (2016)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
de réir: Васенев А. С.
Foilsithe / Cruthaithe: (2012)

Влияние внутренних полей на туннельный ток в напряженных структурах GaN/AlxGa1-xN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 37, вып. 4
de réir: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2003)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
de réir: Ерофеев Е. В.
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Foilsithe / Cruthaithe: (2011)

Влияние дислокаций на люминесценцию эпитаксиальных слоев GaN; Высокие технологии в современной науке и технике
Foilsithe / Cruthaithe: (2015)

Alignment control and atomically-scaled heteroepitaxial interface study of GaN nanowires; Nanoscale; Vol. 9, iss. 16
Foilsithe / Cruthaithe: (2017)

Резонансное туннелирование электронов в напряженных структурах GaN/Ga1-xAlxN(0001) с учетом спонтанной поляризации и пьезоэффекта; Физика твёрдого тела; Т. 43, вып. 3
de réir: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Foilsithe / Cruthaithe: (2001)

Применение туннельных диодов в импульсной технике
de réir: Воскресенский В. В. Владимир Владимирович
Foilsithe / Cruthaithe: (Москва, Связь, 1974)