Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Podobne zapisy

• "Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
  od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Wydane: (2007)
• Влияние дефектов на туннельный ток в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
  od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Wydane: (2008)
• Особенности туннельного тока в двухбарьерных нитридных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Нитриды галлия, индия и алюминия - структуры и приборы
  od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Wydane: (2005)
• “Конденсаторная” модель гистерезиса туннельного тока в структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика твёрдого тела; Т. 51, вып. 1
  od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Wydane: (2009)
• Гистерезис туннельного тока в двухбарьерных структурах w-GaN/AlGaN(0001); Физика и техника полупроводников; Т. 42, вып. 5
  od: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
  Wydane: (2008)