Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN

Bibliographic Details
Parent link:	Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы: тезисы докладов 10-ой Всероссийской конференции, 23-25 марта 2015 г., Санкт-Петербург/ Российская академия наук (РАН), Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). [С. 45-46].— , 2015
Main Author:	Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Other Authors:	Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Summary:	Заглавие с экрана
Language:	Russian
Published:	2015
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ
Online Access:	http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2015.pdf#page=45
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648190

Internet