Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN

Podrobná bibliografie
Parent link:Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы.— 2015.— [С. 45-46]
Hlavní autor: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Korporativní autor: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Další autoři: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Shrnutí:Заглавие с экрана
Jazyk:ruština
Vydáno: 2015
Témata:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
On-line přístup:http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2015.pdf#page=45
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648190
Popis
Shrnutí:Заглавие с экрана

Podobné jednotky