Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы

Bibliographic Details
Parent link:Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы.— 2015.— [С. 45-46]
Main Author: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)
Other Authors: Гриняев С. Н. Сергей Николаевич
Summary:Заглавие с экрана
Language:Russian
Published: 2015
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
Online Access:http://nitrides-conf.ioffe.ru/abstracts/III-N_2015.pdf#page=45
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=648190
Description
Summary:Заглавие с экрана

Similar Items