Разжувалов А. Н. Александр Николаевич & Гриняев С. Н. Сергей Николаевич. (2015). Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов w-AlGaN/GaN. 2015.
توثيق أسلوب شيكاغو (الطبعة السابعة عشر)Разжувалов А. Н. Александр Николаевич و Гриняев С. Н. Сергей Николаевич. Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов W-AlGaN/GaN. 2015, 2015.
توثيق جمعية اللغة المعاصرة MLA (الإصدار التاسع)Разжувалов А. Н. Александр Николаевич و Гриняев С. Н. Сергей Николаевич. Роль глубоких уровней в токе туннельных диодов W-AlGaN/GaN. 2015, 2015.
تحذير: قد لا تكون هذه الاستشهادات دائما دقيقة بنسبة 100%.