Влияние потенциала смещения на структуру и распределение элементов в покрытиях нитрида титана полученных методом плазменно-иммерсионной имплантации; Взаимодействие ионов с поверхностью, ВИП - 2015; Т. 3

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:Взаимодействие ионов с поверхностью, ВИП - 2015=Ion - surface interactions (ISI - 2015): труды XXII Международной конференции, 20-24 августа 2015, Москва/ под ред. Е. Ю. Зыкова ; П. А. Карасева ; А. И. Титова ; В. Е. Юрасова.— , 2015
Т. 3.— 2015.— [С. 94-97]
Erakunde egilea: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
Beste egile batzuk: Кашкаров Е. Б. Егор Борисович, Никитенков Н. Н. Николай Николаевич, Тюрин Ю. И. Юрий Иванович, Сыртанов М. С. Максим Сергеевич, Чжан Ле
Gaia:Заглавие с экрана
TiN thin films were deposited on the well-polished 12X18Н10Т steel using arc ionplating technique. The influence of bias voltage on the structure and element distribution wasinvestigated. The results revealed that the deposited TiN film are crystalline and the preferred(111) orientation was observed as bias increased. Moreover, Ti/N ratio and the quantity andsize of microparticles decreased with the increase in bias voltage from -100 to -300 V.
Hizkuntza:errusiera
Argitaratua: 2015
Gaiak:
Sarrera elektronikoa:http://plasma.mephi.ru/ru/uploads/files/conferences/ISI-2015/A5%20%20%20Volume_3.pdf#page=94
Formatua: Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=647929

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 647929
005 20250623094231.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\13086 
090 |a 647929 
100 |a 20160428d2015 k y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Влияние потенциала смещения на структуру и распределение элементов в покрытиях нитрида титана полученных методом плазменно-иммерсионной имплантации  |d Influence of pulsed bias on structure and element distribution in titanium nitride thin film deposited by arc ion plating  |f Е. Б. Кашкаров [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 97 (7 назв.)] 
330 |a TiN thin films were deposited on the well-polished 12X18Н10Т steel using arc ionplating technique. The influence of bias voltage on the structure and element distribution wasinvestigated. The results revealed that the deposited TiN film are crystalline and the preferred(111) orientation was observed as bias increased. Moreover, Ti/N ratio and the quantity andsize of microparticles decreased with the increase in bias voltage from -100 to -300 V. 
461 1 |t Взаимодействие ионов с поверхностью, ВИП - 2015  |l Ion - surface interactions (ISI - 2015)  |o труды XXII Международной конференции, 20-24 августа 2015, Москва  |o в 3 т.  |f под ред. Е. Ю. Зыкова ; П. А. Карасева ; А. И. Титова ; В. Е. Юрасова  |d 2015 
463 1 |t Т. 3  |v [С. 94-97]  |d 2015 
510 1 |a Influence of pulsed bias on structure and element distribution in titanium nitride thin film deposited by arc ion plating  |z eng 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Кашкаров  |b Е. Б.  |c физик  |c доцент, научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1991-  |g Егор Борисович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\30728  |9 14999 
701 1 |a Никитенков  |b Н. Н.  |c российский физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1953-  |g Николай Николаевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25364 
701 1 |a Тюрин  |b Ю. И.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1950-  |g Юрий Иванович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\19873  |9 7810 
701 1 |a Сыртанов  |b М. С.  |c физик  |c доцент, научный сотрудник Томского политехнического университета, кандидат технических наук  |f 1990-  |g Максим Сергеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34762  |9 18112 
701 0 |a Чжан Ле 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра общей физики (ОФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160428  |g RCR 
850 |a 63413507 
856 4 |u http://plasma.mephi.ru/ru/uploads/files/conferences/ISI-2015/A5%20%20%20Volume_3.pdf#page=94  |z http://plasma.mephi.ru/ru/uploads/files/conferences/ISI-2015/A5%20%20%20Volume_3.pdf#page=94 
942 |c CF