MOCVD growth and study of magnetic Co films

MOCVD growth and study of magnetic Co films

書誌詳細
Parent link:Surface Engineering
Vol. 32, iss.1.— 2016.— [P. 8-14]
共著者: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Физико-технический институт Кафедра общей физики, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра материаловедения в машиностроении
その他の著者: Dorovskikh S. I. Svetlana Igorevna, Hairullin (Khayrullin) R. R. Rustam Ravilievich, Sysoev S. V. Sergey Viktorovich, Kriventsov V. V. Vladimir Vladimirovich, Panin A. V. Alexey Viktorovich, Shubin Yu. V. Yury Viktorovich, Morozova N. B. Nataljya Borisovna, Gelfond N. V. Nikolay Vasiljevich, Korenev S. V. Sergey Vasiljevich
要約:Title screen
The Co(N’acN’ac)2 complex, namely bis(2-methylamino-4-methyliminato-penten) cobalt(II), was for the first time used as a precursor for producing Co films via metal–organic chemical vapour deposition. This chelate exhibits good volatility ln?(P/P°)?=?26·45–14006·7/T(K) at moderate temperature values (382–427 K). Co films were grown on Si (100) substrates and studied by X-ray diffraction, extended X-ray absorption fine structure, atomic force and scanning electron microscopy, energy dispersive X-ray analysis and optical profilometry. Deposition conditions corresponding to the optimal electrical and magnetic characteristics of Co thin films are found.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
言語:英語
出版事項: 2016
主題:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
давление
пар
магнитные характеристики
オンライン･アクセス:http://dx.doi.org/10.1179/1743294414Y.0000000424
フォーマット: 電子媒体 図書の章
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646835

類似資料

類似資料