Сильноточный импульсный имплантер

Dettagli Bibliografici
Parent link:Приборы и техника эксперимента: научный журнал.— , 1956-
№ 5.— 2015.— [С. 133-135]
Autore principale: Степанов А. В. Андрей Владимирович
Enti autori: Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений, Национальный исследовательский Томский политехнический университет Институт физики высоких технологий Лаборатория № 1
Altri autori: Шаманин В. И. Виталий Игоревич, Ремнёв (Ремнев) Г. Е. Геннадий Ефимович
Riassunto:Заглавие с экрана
Описан сильноточный импульсный имплантер на основе сильноточного ионного диода с радиальным магнитным полем и предварительным плазмообразованием. Для образования плазмы на аноде диода используется импульс напряжения отрицательной полярности, предшествующий импульсу ускоряющего напряжения. Пауза между импульсами 500 ± 50 нс. В качестве эмиссионного покрытия анода используется графит. Получен ионный пучок с плотностью тока в фокальной плоскости диода до 80 А/см2. Анализ элементного состава ионного пучка с использованием времяпролетной методики показал, что ионный пучок в основном состоит из ионов углерода С+ и С+2 и протонов Н+.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:russo
Pubblicazione: 2015
Soggetti:
Accesso online:http://elibrary.ru/item.asp?id=25344402
Natura: Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=646480

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 646480
005 20250121144530.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\11616 
090 |a 646480 
100 |a 20160301d2015 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Сильноточный импульсный имплантер  |f А. В. Степанов, В. И. Шаманин, Г. Е. Ремнев 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: 9 назв.] 
330 |a Описан сильноточный импульсный имплантер на основе сильноточного ионного диода с радиальным магнитным полем и предварительным плазмообразованием. Для образования плазмы на аноде диода используется импульс напряжения отрицательной полярности, предшествующий импульсу ускоряющего напряжения. Пауза между импульсами 500 ± 50 нс. В качестве эмиссионного покрытия анода используется графит. Получен ионный пучок с плотностью тока в фокальной плоскости диода до 80 А/см2. Анализ элементного состава ионного пучка с использованием времяпролетной методики показал, что ионный пучок в основном состоит из ионов углерода С+ и С+2 и протонов Н+. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Приборы и техника эксперимента  |o научный журнал  |d 1956- 
463 |t № 5  |v [С. 133-135]  |d 2015 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a сильноточные диоды 
610 1 |a плазмообразование 
610 1 |a ионные пучки 
700 1 |a Степанов  |b А. В.  |c физик  |c научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1981-  |g Андрей Владимирович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28104  |9 13062 
701 1 |a Шаманин  |b В. И.  |c физик  |c младший научный сотрудник Томского политехнического университета  |f 1989-  |g Виталий Игоревич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\35455  |9 18652 
701 1 |a Ремнёв (Ремнев)  |b Г. Е.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1948-  |g Геннадий Ефимович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\22004  |9 9301 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Институт физики высоких технологий  |b Кафедра техники и электрофизики высоких напряжений  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18692  |9 27145 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет  |b Институт физики высоких технологий  |b Лаборатория № 1  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\19035  |9 27311 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20160301  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=25344402 
942 |c CF