Таблицы параметров пространственного распределения ионно- имплантированных примесей : (Теория, метод расчета, таблицы )

Eitemau Tebyg

• Моделирование на ЭВМ распределений по глубине нанокластеров вакансионного типа в материалах, облученных ионами; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
  Cyhoeddwyd: (2017)
• Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
  gan: Ардышев М. В.
  Cyhoeddwyd: (2004)
• Исследование пространственного распределения амплитуды эхосигналов при использовании прямых пьезоэлектрических преобразователей; Дефектоскопия; № 12
  gan: Луценко Г. Г.
  Cyhoeddwyd: (2003)
• Исследование растворимости элементов в металлах и положения имплантированных атомов в решетке с использованием орбитальных радиусов сингулярных атомных псевдопотенциалов; Физика металлов и металловедение; Т. 57, вып. 6
  gan: Чулков Е. В.
  Cyhoeddwyd: (1984)
• Mass Transfer of an Implanted Dopant in Materials under High-Power Pulsed Ion Beam Impact; 7 International conference on modification of materials with particle beams and plasma flows
  Cyhoeddwyd: (2004)