Время-разрешенная оптическая спектроскопия сцинтилляционных кристаллов CSI(CO 3)

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1958-
Т. 58, № 6 (2).— 2015.— [С. 332-337]
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)
Other Authors: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич, Трефилова Л. Н. Лариса Николаевна, Лебединский А. М. Алексей Михайлович, Даулет Зейин
Summary:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследования короткоживущих центров окраски и люминесценции, создаваемых в кристаллах CsI(CO 3) при облучении короткими импульсами ускоренных электронов ( Е ср = 0.25 МэВ, t 1/2 = = 15 нс, W = 2-160 мДж/см 2). Показано, что процессы, ответственные за стадии медленного нарастания и спада интенсивности люминесценции в полосах при 2.8 и 3.2 эВ, имеют мономолекулярную природу и характеризуются значениями энергии термической активации равными 0.1 и 0.05 эВ соответственно. Обсуждается модель процессов, в рамках которой стадия нарастания интенсивности определяется вероятностью термического высвобождения захваченных карбонат-ионами дырок, а стадия затухания - вероятностью создания околопримесных экситонов в результате туннельных электронных переходов с F -центров на уровни расположенных в соcедних анионных узлах V k -центров.
The investigation results of short-lived color centers and luminescence induced in CsI(CO3) crystals by pulsed electron irradiation ( ? a = 0.25 MeV, t 1/2 = 15 ns, W = 2-160 mJ/cm2) are presented. It was demonstrated that the processes answered for slow rise and decay stages of intensity of 2.8 and 3.2 eV luminescence bands possess monomolecular nature and can be characterized by values of thermal activation energy equal to 0.1 and 0.05 eV respectively. The model of processes by which the intensity rise stage is determined by thermal release probability of holes captured by carbonate ions, while the decay stage is determined by probability of creation of excitons localized near impurity as a result of tunnel electron transition from F-centers to levels situated in the adjacent anion site of V k-centers are discussed.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2015
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=24449632
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645432