Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation

Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation

Detalles Bibliográficos
Parent link:Journal of Physics: Conference Series
Vol. 635.— 2015.— [062007, 2 p.]
Corporate Authors: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Outros autores: Takabayashi Y. Yushi, Bagrov V. G. Vladislav Gavriilovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich
Summary:Title screen
The new experiments on channeling of 255 MeV in a 0.7 ?m silicon half-wavelength crystal were performed at SAGA LS facility. Both experimental and simulated electron angular distribution after the crystal and corresponding radiation spectra reveal the number of peculiarities.
Idioma:inglés
Publicado: 2015
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
каналирование
релятивистские электроны
излучения
кремний
кристаллы
Acceso en liña:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141
http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645391

Títulos similares

Títulos similares