Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation

Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation

Bibliographic Details
Parent link:	Journal of Physics: Conference Series Vol. 635.— 2015.— [062007, 2 p.]
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Other Authors:	Takabayashi Y. Yushi, Bagrov V. G. Vladislav Gavriilovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich
Summary:	Title screen The new experiments on channeling of 255 MeV in a 0.7 ?m silicon half-wavelength crystal were performed at SAGA LS facility. Both experimental and simulated electron angular distribution after the crystal and corresponding radiation spectra reveal the number of peculiarities.
Published:	2015
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ каналирование релятивистские электроны излучения кремний кристаллы
Online Access:	http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141 http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645391

Internet

http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141
http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007