Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635

Библиографические подробности
Источник:Journal of Physics: Conference Series
Vol. 635.— 2015.— [062007, 2 p.]
Корпоративные авторы: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)
Другие авторы: Takabayashi Y. Yushi, Bagrov V. G. Vladislav Gavriilovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich
Примечания:Title screen
The new experiments on channeling of 255 MeV in a 0.7 ?m silicon half-wavelength crystal were performed at SAGA LS facility. Both experimental and simulated electron angular distribution after the crystal and corresponding radiation spectra reveal the number of peculiarities.
Язык:английский
Опубликовано: 2015
Предметы:
Online-ссылка:http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141
http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007
Формат: Электронный ресурс Статья
Запись в KOHA:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645391

MARC

LEADER 00000nla0a2200000 4500
001 645391
005 20250321160940.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\10475 
035 |a RU\TPU\network\6786 
090 |a 645391 
100 |a 20151217d2015 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a US 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation  |f Y. Takabayashi [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: 5 tit.] 
330 |a The new experiments on channeling of 255 MeV in a 0.7 ?m silicon half-wavelength crystal were performed at SAGA LS facility. Both experimental and simulated electron angular distribution after the crystal and corresponding radiation spectra reveal the number of peculiarities. 
461 |t Journal of Physics  |o Conference Series 
463 |t Vol. 635  |v [062007, 2 p.]  |d 2015 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a каналирование 
610 1 |a релятивистские электроны 
610 1 |a излучения 
610 1 |a кремний 
610 1 |a кристаллы 
701 1 |a Takabayashi  |b Y.  |g Yushi 
701 1 |a Bagrov  |b V. G.  |c physicist  |c Professor of Tomsk state University  |f 1938-  |g Vladislav Gavriilovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\38248 
701 1 |a Bogdanov  |b O. V.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1981-  |g Oleg Viktorovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31518  |9 15679 
701 1 |a Pivovarov  |b Yu. L.  |c physicist  |c professor of Tomsk Polytechnic University  |f 1953-  |g Yuriy Leonidovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31522 
701 1 |a Tukhfatullin  |b T. A.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1971-  |g Timur Ahatovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33633 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18726 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18727 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра экспериментальной физики (ЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\21255 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20170405  |g RCR 
856 4 |u http://earchive.tpu.ru/handle/11683/36141 
856 4 |u http://dx.doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007 
942 |c CF