Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Takabayashi Y. Yushi, Bagrov V. G. Vladislav Gavriilovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, . . . Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich. (2015). Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635. 2015. https://doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007
Style de citation Chicago (17e éd.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра экспериментальной физики (ЭФ), Takabayashi Y. Yushi, Bagrov V. G. Vladislav Gavriilovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, et Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich. Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635. 2015, 2015. https://doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007.
Style de citation MLA (9e éd.)Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), et al. Channeling of Relativistic Electrons in Half-Wave Silicon Crystal and Corresponding Radiation; Journal of Physics; Vol. 635. 2015, 2015. https://doi.org/10.1088/1742-6596/635/6/062007.