Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers

Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms: Scientific Journal.— , 1984- Vol. 139, iss. 1-4.— 1998.— [P. 418-421]
Altres autors:	Bayazitov R. M., Antonova L.Kh., Khaibullin I. B., Remnev G. E. Gennady Efimovich
Sumari:	Title screen The formation of heavily doped n-GaAs layers using continuous ion implantation and subsequent treatment by powerful pulsed ion beams has been investigated. Using Auger electron spectroscopy (AES), electrical measurements and computer simulations, correlation between donor distributions and electrical activation was established. It is shown that the n+-GaAs layers (n = 1019-1020 cm-3) are formed in the deep tail of the impurity atom distributions. Thermal stability of formed supersaturated layers was investigated. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Publicat:	1998
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ Implantation GaAs carrier concentration
Accés en línia:	http://dx.doi.org/10.1016/S0168-583X(98)00030-5
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=645124

Ítems similars

Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2010)

Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1
per: Синягина М. А.
Publicat: (2013)

Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2012)

Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка
Publicat: (2007)

Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов
per: Нишизава Дж.-И.
Publicat: (2003)

Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]
Publicat: (2003)

Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP
per: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Publicat: (2016)

Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией
per: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)

The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide
per: Ayzenshtat G. I.
Publicat: (2017)

Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
per: Спирина А. А. Анна Александровна
Publicat: (Новосибирск, 2023)

Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб
Publicat: (2003)

Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 1.3.11
per: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Publicat: (Томск, 2023)

Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения
Publicat: (2010)

Study of the influence of a powerful pulsed ion beam on titanium deeply-doped with aluminum
Publicat: (2023)

Spectral analysis of nanosize forms of carbon synthesized by pulsed intense ion beams
Publicat: (2013)

Repetitively-pulsed nitrogen implantation in titanium by a high-power density ion beam
Publicat: (2022)

High-power ion beam sources for industrial application
Publicat: (1997)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Publicat: (2016)

Formation, Focusing and Transport of Highintensity, Low-Energy Metal Ion Beams
Publicat: (2021)

Formation of heavily doped semiconductor layers by pulsed ion beam treatmen
Publicat: (1997)

Low energy, high intensity metal ion implantation method for deep dopant containing layer formation
Publicat: (2018)

High-Intensity Titanium Ion Implantation into Aluminum under Conditions of Repetitively-Pulsed Energy Impact of a Beam on the Surface
per: Zaytsev D. D. Daniil Dmitrievich
Publicat: (2024)

Electrical and Photoelectric Properties of Polycrystalline Silicon after High-Intensity Short-Pulse Ion Implantation
per: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Publicat: (2013)

Numerical Simulation of Temperature Field Dynamics in Single-Crystal Silicon at Repetitively-Pulsed High-Intensity Ion Implantation and Energy Impact on the Surface Layer
Publicat: (2023)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Вольтамперная характеристика InGaTe₂
per: Годжаев Э. М. Эльдар Мехрали оглы
Publicat: (2015)

High-Intensity Implantation With an Ion Beam's Energy Impact on Materials
per: Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich
Publicat: (2021)

Controllable Synthesis of Calcium Carbonate with Different Geometry: Comprehensive Analysis of Particle Formation, Cellular Uptake, and Biocompatibility
Publicat: (2019)

Modification of the microstructure and properties of martensitic steel during ultra-high dose high-intensity implantation of nitrogen ions
Publicat: (2020)

Erosion of the GaAs target under irradiation by a high-power pulsed ion beam
Publicat: (2007)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Investigation of Regularities of High-Intensity Ion Implantation in Combination with Subsequent Exposure to the Surface of a High-Current Electron Beam
Publicat: (2020)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2016)

Формирование гетероструктур наноприборов методом МЛЭ
per: Шашурин В. Д.
Publicat: (Москва, МГТУ им. Н.Э. Баумана, 2009)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2013)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2011)

Эпитаксиальные методы получения наноразмерных гетероструктур InGaAlP
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2012)

Progress in low energy high intensity ion implantation method development
per: Ryabchikov A. I. Aleksandr Ilyich
Publicat: (2020)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
per: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Publicat: (2014)