Strain Localization Parameters of AlCu4MgSi Processed by High-Energy Electron Beams

Strain Localization Parameters of AlCu4MgSi Processed by High-Energy Electron Beams

Bibliographic Details
Parent link:	AIP Conference Proceedings Vol. 1683 : Advanced Materials with Hierarchical Structure for New Technologies and Reliable Structures.— 2015.— [020129, 4 p.]
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра теоретической и прикладной механики (ТПМ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт международного образования и языковой коммуникации (ИМОЯК) Кафедра междисциплинарная (МД)
Other Authors:	Lunev A. G. Alexey Gennadievich, Nadezhkin M. V. Mikhail Vladimirovich, Konovalov S. V., Teresov A. D.
Summary:	Title screen The influence of the electron beam surface treatment of AlCu4MgSi on the strain localization parameters and on the critical strain value of the Portevin-Le Chatelier effect has been considered. The strain localization parameters were measured using speckle imaging of the specimens subjected to the constant strain rate uniaxial tension at a room temperature. Impact of the surface treatment on the Portevin-Le Chatelier effect has been investigated. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2015
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ локализация деформации высокие энергии электронные пучки электронно-лучевая обработка поверхности эффект Портевена-Ле Шателье
Online Access:	http://dx.doi.org/10.1063/1.4932819
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=644963

Internet

http://dx.doi.org/10.1063/1.4932819