Strain Localization Parameters of AlCu4MgSi Processed by High-Energy Electron Beams

Strain Localization Parameters of AlCu4MgSi Processed by High-Energy Electron Beams

Podrobná bibliografie
Parent link:AIP Conference Proceedings
Vol. 1683 : Advanced Materials with Hierarchical Structure for New Technologies and Reliable Structures.— 2015.— [020129, 4 p.]
Korporace: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра теоретической и прикладной механики (ТПМ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт международного образования и языковой коммуникации (ИМОЯК) Кафедра междисциплинарная (МД)
Další autoři: Lunev A. G. Alexey Gennadievich, Nadezhkin M. V. Mikhail Vladimirovich, Konovalov S. V., Teresov A. D.
Shrnutí:Title screen
The influence of the electron beam surface treatment of AlCu4MgSi on the strain localization parameters and on the critical strain value of the Portevin-Le Chatelier effect has been considered. The strain localization parameters were measured using speckle imaging of the specimens subjected to the constant strain rate uniaxial tension at a room temperature. Impact of the surface treatment on the Portevin-Le Chatelier effect has been investigated.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:angličtina
Vydáno: 2015
Témata:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
локализация
деформации
высокие энергии
электронные пучки
электронно-лучевая обработка
поверхности
эффект Портевена-Ле Шателье
On-line přístup:http://dx.doi.org/10.1063/1.4932819
Médium: Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=644963

Internet

http://dx.doi.org/10.1063/1.4932819

Podobné jednotky