Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Control and Communications (SIBCON-2015).— 2015.— [4 p.]
1. Verfasser: Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Körperschaft: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО)
Weitere Verfasser: Litvinenko V. V. Viktoriya Vladimirovna, Krit T. B. Timofey Borisovich
Zusammenfassung:Title screen
It has been found that of P-type defects to total defect formation is larger in GaAs samples irradiated with high-energy (65 MeV) protons or fast neutrons. The E4 and E5 defects are annealed out after heat treatment of such samples at a temperature near 200°C; as a result, the shape and intensity of the U band change somewhat.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: 2015
Schlagworte:
Online-Zugang:http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147220
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643635

Ähnliche Einträge