Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons

Xehetasun bibliografikoak
Parent link:	Control and Communications (SIBCON-2015).— 2015.— [4 p.]
Egile nagusia:	Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Erakunde egilea:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО)
Beste egile batzuk:	Litvinenko V. V. Viktoriya Vladimirovna, Krit T. B. Timofey Borisovich
Gaia:	Title screen It has been found that of P-type defects to total defect formation is larger in GaAs samples irradiated with high-energy (65 MeV) protons or fast neutrons. The E4 and E5 defects are annealed out after heat treatment of such samples at a temperature near 200°C; as a result, the shape and intensity of the U band change somewhat. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Hizkuntza:	ingelesa
Argitaratua:	2015
Gaiak:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нейтроны протоны барьеры Шоттки
Sarrera elektronikoa:	http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147220
Formatua:	Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643635

Internet