Effect in GaAs produced by fast neutrons and protons; Control and Communications (SIBCON-2015)

Detalles Bibliográficos
Parent link:	Control and Communications (SIBCON-2015).— 2015.— [4 p.]
Autor principal:	Soboleva E. G. Elvira Gomerovna
Autor Corporativo:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО)
Otros Autores:	Litvinenko V. V. Viktoriya Vladimirovna, Krit T. B. Timofey Borisovich
Sumario:	Title screen It has been found that of P-type defects to total defect formation is larger in GaAs samples irradiated with high-energy (65 MeV) protons or fast neutrons. The E4 and E5 defects are annealed out after heat treatment of such samples at a temperature near 200°C; as a result, the shape and intensity of the U band change somewhat. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lenguaje:	inglés
Publicado:	2015
Materias:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нейтроны протоны барьеры Шоттки
Acceso en línea:	http://dx.doi.org/10.1109/SIBCON.2015.7147220
Formato:	Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=643635

Internet