Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка; Известия вузов. Физика; Т. 50, № 1
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 50, № 1.— 2007.— [С. 66-70] |
|---|---|
| Corporate Author: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Лаборатория № 1 |
| Other Authors: | Ли Цзень Фень, Ремнёв (Ремнев) Г. Е. Геннадий Ефимович, Салтымаков М. С. Максим Сергеевич, Гусельников В. И., Макеев В. А., Ивонин В. И., Найден Е. П., Юрченко В. И. |
| Summary: | Заглавие с экрана Исследована эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка. В экспериментах использовался источник мощных ионных пучков со следующими параметрами: энергия ионов - 250 кэВ, плотность тока на мишени - до 350 А/см{2}, длительность импульса - 80 нс, плотность энергии на мишени - до 7 Дж/см{2}. Измерен коэф. эрозии мишени и его зависимость от числа последовательных импульсов. Отмечено увеличение параметра шероховатости поверхности увеличением числа последовательных импульсов тока пучка и формирование регулярной структуры рельефа поверхности при числе импульсов более 20-40. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Language: | Russian |
| Published: |
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=9319224 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642018 |
Similar Items
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
by: Спирина А. А. Анна Александровна
Published: (Новосибирск, 2023)
by: Спирина А. А. Анна Александровна
Published: (Новосибирск, 2023)
The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
by: Ayzenshtat G. I.
Published: (2017)
by: Ayzenshtat G. I.
Published: (2017)
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010)
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Нишизава Дж.-И.
Published: (2003)
by: Нишизава Дж.-И.
Published: (2003)
Особенности фотопроводимости компенсированного i-GaAs в области спектра hv>E[ g]; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 4
Published: (2003)
Published: (2003)
Pulsed ion beam formation of highly doped GaAs layers; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 139, iss. 1-4
Published: (1998)
Published: (1998)
Определение параметров детектора рентгеновского излучения GaAs-512-0.1; Ядерно-физические технологии в клинической и экспериментальной медицине: состояние, проблемы, перспективы
by: Синягина М. А.
Published: (2013)
by: Синягина М. А.
Published: (2013)
Исследование технологии ионного легирования для создания высокочувствительных датчиков магнитного поля на арсениде галлия; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2011)
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2011)
Образование и отжиг радиационных дефектов в области пространственного заряда соединений GaAs и InP; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, ФВЗЧК-2016
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)
by: Соболева Э. Г. Эльвира Гомеровна
Published: (2016)
Оптические свойства пленок GAAS, осажденных импульсной ионной абляцией; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)
Спектрометрические характеристики HR-GaAs:Cr сенсоров рентгеновского излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
by: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Published: (Томск, 2023)
by: Щербаков И. Д. Иван Дмитриевич
Published: (Томск, 2023)
Нелинейные эффекты в процессах активированного окисления GaAs: монография
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
by: Миттова И. Я. Ирина Яковлевна
Published: (Воронеж, Изд-во Воронежского ГУ, 2008)
Singularities of current-voltage characteristics of GaAs films fabricated by pulsed ions ablation; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2009)
Published: (2009)
Стойкость светоизлучающих диодов ИК-диапазона к воздействию импульсного лазерного излучения; Известия Томского политехнического университета [Известия ТПУ]; Т. 316, № 2: Математика и механика. Физика
Published: (2010)
Published: (2010)
Определение мгновенной эффективной энергии тормозного излучения рентгеновских труб; Измерительная техника; № 8
Published: (2003)
Published: (2003)
Квантово-чувствительные детекторы ионизирующих излучений на основе компенсированного арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)
by: Толбанов О. П.
Published: (2003)
Изучение радиопоглощающих свойств арсенида галлия; Физическое образование в вузах; Т. 24, № S1
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)
by: Семенова В. И. Валерия Игоревна
Published: (2018)
Исследование точностных характеристик методики определения хрома в арсениде галлия; Электрохимические методы анализа
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)
by: Сараева В. Е.
Published: (1989)
Фотохронографический регистратор ионного излучения; Приборы и техника эксперимента; № 2
Published: (2004)
Published: (2004)
Электроперенос пленок арсенида галлия, синтезированных ионной абляцией; ФВЗЧК-2014
Published: (2014)
Published: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия методом импульсной ионной абляции и их свойства; Физика твердого тела
Published: (2009)
Published: (2009)
Gallium arsenide digital integrated circuit design
by: Long Stephen I
Published: (New York, McGraw-Hill, 1990)
by: Long Stephen I
Published: (New York, McGraw-Hill, 1990)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: диссертация на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, 1999)
Thermal and chemical passivation of gallium-arsenide films deposited from ablation plasma; Journal of Surface Investigation. X-ray, Synchrotron and Neutron Techniques; Vol. 8, iss. 1
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2014)
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2014)
Термическая и химическая пассивация пленок арсенида галлия, осажденных из абляционной плазмы; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2014)
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2014)
Осаждение пленок арсенида галлия на кремнии импульсной ионной абляцией и их свойства; Взаимодействие излучений с твердым телом
Published: (2011)
Published: (2011)
Актуальные проблемы материаловедения: [сборник обзоров]; пер. с англ.; Вып. 2
Published: (Москва, Мир, 1980)
Published: (Москва, Мир, 1980)
Протонный отжиг имплантированных арсенида галлия и кремния; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)
by: Ардышев М. В.
Published: (2004)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, 1999)
Напряжения в имплантированных структурах арсенида галлия; Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)
by: Ардышев М. В.
Published: (2002)
Осаждение пленок арсенида галлия ионной абляцией и их термическая и химическая пассивация; ФВЗЧК-2011
Published: (2011)
Published: (2011)
Transport charge of gallium arsenide films synthesized on polycrystalline silicon by ion ablation; Journal of Physics: Conference Series; Vol. 552: International Congress on Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2014), 21–26 September 2014, Tomsk, Russia
Published: (2014)
Published: (2014)
Механизм переноса зарядов в излучающих структурах на основе арсенида галлия; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 3
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2003)
by: Карлова Г. Ф.
Published: (2003)
Исследование поверхностно-барьерных переходов на арсениде галлия: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)
by: Максимова Н. К.
Published: (Томск, 1972)
Ионный абляционный синтез пленок арсенида галлия на кремниевой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)
The Synthesis of Gallium Arsenide Films on Silicon Substrate by Ionics Ablation; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 12-2
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2012)
by: Kabyshev A. V. Alexander Vasilievich
Published: (2012)
Арсенид галлия, компенсированный примесями с глубокими уровнями (электронные свойства, структуры, применение: автореферат диссертации на соискание ученой степени доктора физико-математических наук
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)
by: Толбанов О. П. Олег Петрович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)
Арсенид галлия: радиационные дефекты и ионизационные детекторы ядерного излучения: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)
by: Потапов А. И. Александр Иванович
Published: (Томск, [Б. и.], 1999)
Спектры DLTS арсенида галлия, облучённого нейтронами; Физика твердого тела
by: Пешев В. В.
Published: (2002)
by: Пешев В. В.
Published: (2002)
Similar Items
-
Самокаталитический рост планарных нанопороволок и ленгмюровское испарение GaAs: моделирование методом Монте Карло: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 1.3.11
by: Спирина А. А. Анна Александровна
Published: (Новосибирск, 2023) -
The formation of amplitude spectra in X-ray pixel detectors made of gallium arsenide; Journal of X-Ray Science and Technology; Vol. 25, iss. 4
by: Ayzenshtat G. I.
Published: (2017) -
Оптические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2010
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2010) -
Электрофизические и фотоэлектрические свойства пленок GaAs, осажденных импульсной ионной абляцией; ФВЗЧК-2012
by: Кабышев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012) -
Развитие эпитаксии GaAs- от слитков к ультратонким пленкам. Выращивание слоев для наноструктурных приборов; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 6
by: Нишизава Дж.-И.
Published: (2003)