Энергетическая зависимость "картин" излучения от электронов, каналирующих в Si-кристалле; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 11-2
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал/ Национальный исследовательский Томский государственный университет (ТГУ).— , 1957- Т. 55, № 11-2.— 2012.— [С. 161-165] |
|---|---|
| প্রধান লেখক: | |
| সংস্থা লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования эволюции угловых картин, образованных рентгеновским излучением от электронов, проходящих 56-мкм Si-пластину с толщиной по пучку электронов 1,5 мм, при изменении энергии электронов в области 20-33 МэВ. Фотографии угловых распределений показали концентрирование интенсивности излучения в направлении кристаллографич. плоскостей (111), (110) и оси [001]. Картина из пятна и лучей, обусловленная эффектом каналирования электронов вдоль атомного ряда и плоскостей кристалла, следует за его наклоном кристалла относительно электронного пучка и изменяется при изменении энергии электронов. Такой сложный "фон", дополнительный к обычному конусу тормозного излучения, необходимо учитывать при исследовании эффектов в генерации рентгеновского излучения в структурах, созданных на кристаллич. подложках. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
2012
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://elibrary.ru/item.asp?id=18639643 |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=642002 |