Позитронная спектроскопия дефектов в субмикрокристаллическом никеле после низкотемпературного отжига; Физика твёрдого тела; Т. 57, вып. 2

书目详细资料
Parent link:Физика твёрдого тела.— , 1975-
Т. 57, вып. 2.— 2015.— [С. 209-218]
企业作者: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра общей физики (ОФ)
其他作者: Кузнецов П. В. Павел Викторович, Миронов Ю. П., Толмачев А. И., Бордулёв Ю. С. Юрий Сергеевич, Лаптев Р. С. Роман Сергеевич, Лидер А. М. Андрей Маркович, Корзников А. В.
总结:Заглавие с экрана
Путем измерения спектров времени жизни позитронов и доплеровского уширения аннигиляционной линии исследован отжиг дефектов в субмикрокристаллическом никеле, полученном методом равноканального углового прессования. Установлено, что в свежеприготовленных образцах позитроны захватываются дислокационными дефектами и вакансионными комплексами внутри кристаллитов. Размеры вакансионныхкомплексов уменьшаются с ростом температуры отжига в интервале DeltaT = 20−300◦C, однако после отжига при T = 360◦C они снова увеличиваются. Из спектров доплеровского уширения аннигиляционной линии был получен R-параметр, который не зависит от концентрации дефектов, а определяется только их типом. Обнаружено, что интервалам температур DeltaT = 20-180 и 180-360◦C соответствуют два значения R-параметра (R1, R2). Показано, что в интервале температур DeltaT = 20-180◦C преобладающими центрами захвата позитронов являются малоугловые границы, обогащенные примесями, а в интервале температур DeltaT = 180-360◦C — малоугловые границы.
语言:俄语
出版: 2015
主题:
在线阅读:http://journals.ioffe.ru/ftt/2015/02/page-209.html.ru
格式: 电子 本书章节
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=641046

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 641046
005 20251028071619.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\5924 
090 |a 641046 
100 |a 20150507d2015 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Позитронная спектроскопия дефектов в субмикрокристаллическом никеле после низкотемпературного отжига  |f П. В. Кузнецов [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 217-218 (36 назв.)] 
330 |a Путем измерения спектров времени жизни позитронов и доплеровского уширения аннигиляционной линии исследован отжиг дефектов в субмикрокристаллическом никеле, полученном методом равноканального углового прессования. Установлено, что в свежеприготовленных образцах позитроны захватываются дислокационными дефектами и вакансионными комплексами внутри кристаллитов. Размеры вакансионныхкомплексов уменьшаются с ростом температуры отжига в интервале DeltaT = 20−300◦C, однако после отжига при T = 360◦C они снова увеличиваются. Из спектров доплеровского уширения аннигиляционной линии был получен R-параметр, который не зависит от концентрации дефектов, а определяется только их типом. Обнаружено, что интервалам температур DeltaT = 20-180 и 180-360◦C соответствуют два значения R-параметра (R1, R2). Показано, что в интервале температур DeltaT = 20-180◦C преобладающими центрами захвата позитронов являются малоугловые границы, обогащенные примесями, а в интервале температур DeltaT = 180-360◦C — малоугловые границы. 
461 |t Физика твёрдого тела  |d 1975- 
463 |t Т. 57, вып. 2  |v [С. 209-218]  |d 2015 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a спектроскопия 
610 1 |a позитроны 
610 1 |a субмикрокристаллические сплавы 
701 1 |a Кузнецов  |b П. В.  |c физик  |c доцент Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1952-  |g Павел Викторович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\34497  |9 17880 
701 1 |a Миронов  |b Ю. П. 
701 1 |a Толмачев  |b А. И. 
701 1 |a Бордулёв  |b Ю. С.  |c физик  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1990-  |g Юрий Сергеевич  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29925 
701 1 |a Лаптев  |b Р. С.  |c физик, специалист в области неразрушающего контроля  |c доцент Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1987-  |g Роман Сергеевич  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\29924  |9 14396 
701 1 |a Лидер  |b А. М.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, доктор технических наук  |f 1976-2025  |g Андрей Маркович  |y Томск  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\25616  |9 11545 
701 1 |a Корзников  |b А. В. 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра общей физики (ОФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18734 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150507  |g RCR 
856 4 |u http://journals.ioffe.ru/ftt/2015/02/page-209.html.ru 
942 |c CF