Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка

Bibliographic Details
Parent link:Письма в Журнал технической физики.— , 1975-
Т. 41, вып. 15.— 2015.— [С. 75-82]
Main Author: Олешко В. И. Владимир Иванович
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Summary:Заглавие с экрана
Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Анализируются возможные механизмы электронно-пучкового разрушения светоизлучающих гетероструктур.
Published: 2015
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
электронно-пучковые воздействия
электронные пучки
исследования
Online Access:http://journals.ioffe.ru/pjtf/2015/15/page-75.html.ru
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640875

Similar Items

Similar Items