Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
| Parent link: | Письма в Журнал технической физики.— , 1975- Т. 41, вып. 15.— 2015.— [С. 75-82] |
|---|---|
| Tác giả chính: | |
| Tác giả của công ty: | |
| Tác giả khác: | |
| Tóm tắt: | Заглавие с экрана Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Анализируются возможные механизмы электронно-пучкового разрушения светоизлучающих гетероструктур. |
| Ngôn ngữ: | Tiếng Nga |
| Được phát hành: |
2015
|
| Những chủ đề: | |
| Truy cập trực tuyến: | http://journals.ioffe.ru/pjtf/2015/15/page-75.html.ru |
| Định dạng: | Điện tử Chương của sách |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640875 |