Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
| Parent link: | Письма в Журнал технической физики.— , 1975- Т. 41, вып. 15.— 2015.— [С. 75-82] |
|---|---|
| Autore principale: | |
| Ente Autore: | |
| Altri autori: | |
| Riassunto: | Заглавие с экрана Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Анализируются возможные механизмы электронно-пучкового разрушения светоизлучающих гетероструктур. |
| Lingua: | russo |
| Pubblicazione: |
2015
|
| Soggetti: | |
| Accesso online: | http://journals.ioffe.ru/pjtf/2015/15/page-75.html.ru |
| Natura: | Elettronico Capitolo di libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640875 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 640875 | ||
| 005 | 20250311153529.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\5689 | ||
| 090 | |a 640875 | ||
| 100 | |a 20150429d2015 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка |f В. И. Олешко, С. Г. Горина | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 82 (9 назв.)] | ||
| 330 | |a Представлены результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Анализируются возможные механизмы электронно-пучкового разрушения светоизлучающих гетероструктур. | ||
| 461 | |t Письма в Журнал технической физики |d 1975- | ||
| 463 | |t Т. 41, вып. 15 |v [С. 75-82] |d 2015 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a электронно-пучковые воздействия | |
| 610 | 1 | |a электронные пучки | |
| 610 | 1 | |a исследования | |
| 700 | 1 | |a Олешко |b В. И. |c специалист в области светотехники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1948- |g Владимир Иванович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27390 |9 12727 | |
| 701 | 1 | |a Горина |b С. Г. |c специалист в области светотехники |c инженер Томского политехнического университета |f 1988- |g Светлана Геннадьевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31458 |9 15620 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150429 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://journals.ioffe.ru/pjtf/2015/15/page-75.html.ru | |
| 942 | |c CF | ||