Численный анализ влияния окисления алюминиевой металлизации на характеристики интегральной схемы

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Инженерная физика: научно-технический журнал/ ООО Издательство "Научтехлитиздат".— , 1998-
№ 8.— 2009.— [С. 21-26]
1. Verfasser: Кузнецов Г. В. Гений Владимирович
Weitere Verfasser: Мамонтов Г. Я. Геннадий Яковлевич, Титов А. В.
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Выполнено численное моделирование процесса окисления алюминиевой металлизации интегральной микросхемы парами воды. Решены уравнения теплопроводности и диффузии окислителя в оксидном слое металла. Проведена оценка масштабов влияния коррозии алюминиевой металлизации на характеристики интегральной схемы.
Computer simulation of metallization oxidation process was made in the integrated circuit. Reaction of oxidation of aluminum metallization with water steam was considered. The thermal-conductivity equation and diffusion equation of oxidizer in oxide layer of metal are solved. The influence scale of oxidation process on characteristics of the integrated circuit is shown.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2009
Schlagworte:
Online-Zugang:http://elibrary.ru/item.asp?id=12847252
Format: Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640776