Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)

Radiation Model of Light Emitting Diode Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Advanced Materials Research; Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013)

Bibliographic Details
Parent link:	Advanced Materials Research: Scientific Journal Vol. 880 : Prospects of Fundamental Sciences Development (PFSD-2013).— 2014.— [P. 237-241]
Main Author:	Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Other Authors:	Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Summary:	Title screen Neutron degradation was investigated for AlGaInP light-emitting diodes with wavelengths in the 690 nm region. The process of degradation light output power is shown in three stages. Wattampere, volt-watt and current-voltage characteristic of the light-emitting diodes fabricated on the basis of heterostructures with AlGaInP multiple quantum wells allows to distinguished areas of low, average and strong injection of electrons into the active region of the diodes. Comparison of the research results made of different semiconductor structures suggests that the radiation model of lightemitting diode based on AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells is common to all light-emitting diodes under irradiation by fast neutrons, protons, electrons and gamma rays. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Language:	English
Published:	2014
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светодиоды гетероструктуры квантовые ямы быстрые нейтроны LEDs heterostructures AlGaInP quantum wells fast neutrons
Online Access:	http://dx.doi.org/10.4028/www.scientific.net/AMR.880.237
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=640413

Similar Items

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2013)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure; Physica Status Solidi (C) Current Topics in Solid State Physics; № 1-2
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP; The 7th International Forum on Strategic Technology (IFOST-2012), September 18-21, 2012, Tomsk
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2012)

Способы увеличения мощности излучения светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; Приволжский научный вестник; № 10 (14)
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells; Materials Science Forum; Vol. 970 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance II
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)

Analysis of the Use of Reflectors and Reflective Surfaces for Increasing the Light Efficiency of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures; Materials Science Forum; Vol. 942 : Modern Problems in Materials Processing, Manufacturing, Testing and Quality Assurance
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)

Change in radiating power of the AlGaInP heterostructures under irradiation by fast neutrons; Microwave & Telecommunication Technology (CriMiCo)
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2014)

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Исследование изменения электрофизических характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP (λ=624 нм) с множественными квантовыми ямами при воздействии быстрых нейтронов; Журнал радиоэлектроники; № 10
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2016)

Изменение вольт-амперных характеристик светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами и быстрыми нейтронами; Журнал радиоэлектроники; № 10
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Published: (2013)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Published: (2016)

Технологии получения гетероструктур AlGaInP; Инновации в машиностроении
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Контроль проявления дислокаций при воздействии ионизирующего излучения; Информационные технологии (IT) в контроле, управлении качеством и безопасности
Published: (2019)

Радиационная модель светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP; I; Облучение гамма-квантами 60Со; Радиационная физика твердого тела
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2012)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Luminescence Control of Led Heterostructures Grown by Method of Metalorganic Vapor Phase Epitaxy on Sapphire; Russian Physics Journal; Vol. 65, iss. 11
by: Li Zixuan
Published: (2023)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 363 : Cognitive Robotics
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Деградация светодиодов на основе AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами; Проблемы фундаментальных и прикладных естественных и технических наук в современном информационном обществе. Общая и прикладная физика
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2011)

Radiation resistance of light-emitting diodes based on algaas-heterostructures to fast neutron and electron radiation; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 12, ч. 3
by: Rubanov P. V. Pavel Vladimirovich
Published: (2014)

Influence of the fast neutron irradiation on the IR-LEDs reliability; ISROS 2014
Published: (2014)

Influence of preliminary irradiation by qamma-quanta on dvelopment of catastrofic failures during operation of IR-LEDs; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Parameters of the neutron field at the Prizm-AN stand in the neutronic measurement laboratory; Applied Radiation and Isotopes; Vol. 219
Published: (2025)

Evaluating the dependency of neutron spectra and absorbed dose rates on the collimation field size in fast neutron therapy; Heliyon; Vol. 7, iss. 11
by: Shehada A. Abdullah
Published: (2021)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

Investigating characteristics of neutrons from accelerator-driven compact source using novel target of compressed beryllium-powder; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment; Vol. 1053
Published: (2023)

Резонансное туннелирование через квантовую яму с двумя барьерами в поперечном магнитном поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 126, вып. 1
by: Серов А. Ю.
Published: (2004)

Aluminum coating performance enhancement: novel coating and characterization techniques; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
by: Salman A. M.
Published: (2024)

The dependency of fast neutron flux and spectra on the collimation-field size and geometry for fast neutron therapy purposes; Radiation Effects and Defects in Solids; Vol. 176, iss. 9-10
by: Shehada A. Abdullah
Published: (2021)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
by: Цзысюань Ли
Published: (2023)

Комбинированные переходы двумерных электронов в несимметричных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
by: Васько Ф. Т.
Published: (2003)

Топологические переходы в размерно-квантованных гетероструктурах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 1
by: Горбацевич А. А.
Published: (2003)

Исследование оптических свойств светодиодов на основе гетероструктур из широкозонных полупроводников; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2016)
by: Бактыбаев А. А.
Published: (2016)