Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Бібліографічні деталі
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 111-115]
Співавтор:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Інші автори:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Резюме:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Мова:	Російська
Опубліковано:	2013
Предмети:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия квантовые ямы фотолюминесценция рекомбинация
Онлайн доступ:	http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989
Формат:	Електронний ресурс Частина з книги
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639546

Схожі ресурси

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2013)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
за авторством: Александров И. А. Иван Анатольевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
за авторством: Васенев А. С.
Опубліковано: (2012)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
за авторством: Ерофеев Е. В.
Опубліковано: (2017)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
за авторством: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Опубліковано: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Опубліковано: (2016)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
за авторством: Ли Цзысюань
Опубліковано: (2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2011)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2024)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, [Б. и.], 2018)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Опубліковано: (2004)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
за авторством: Грушко Н. С.
Опубліковано: (2004)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
за авторством: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Опубліковано: (2012)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Опубліковано: (2011)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Опубліковано: (2017)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
за авторством: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Опубліковано: (2015)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2015)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Опубліковано: (Томск, 2012)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
за авторством: Кудряшов В. Е.
Опубліковано: (2003)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
за авторством: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Опубліковано: (Новосибирск, 2025)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Опубліковано: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, 2017)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
Опубліковано: (2013)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
за авторством: Олешко В. И. Владимир Иванович
Опубліковано: (2015)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
за авторством: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Опубліковано: (Томск, 2018)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
за авторством: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Опубліковано: (Томск, 2010)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Опубліковано: (2022)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
за авторством: Narita, Tetsuo
Опубліковано: (2020)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
за авторством: Филато Д. О.
Опубліковано: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2012)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Опубліковано: (2013)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
за авторством: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Опубліковано: (2014)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
за авторством: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Опубліковано: (2013)

Т. 7; Труды физического института
Опубліковано: (1956)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
за авторством: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Опубліковано: (2008)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
за авторством: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Опубліковано: (2017)

Импульсная люминесцентная спектрометрия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках AL2O3; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
за авторством: Сычева А. В.
Опубліковано: (2014)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN; Нитриды галлия, индия и алюминия: структуры и приборы
за авторством: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Опубліковано: (2007)