Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 111-115] |
|---|---|
| সংস্থা লেখক: | |
| অন্যান্য লেখক: | , , , |
| সংক্ষিপ্ত: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| ভাষা: | রুশ |
| প্রকাশিত: |
2013
|
| বিষয়গুলি: | |
| অনলাইন ব্যবহার করুন: | http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989 |
| বিন্যাস: | বৈদ্যুতিক গ্রন্থের অধ্যায় |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639546 |
অনুরূপ উপাদানগুলি
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2013)
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Александров И. А. Иван Анатольевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2015)
অনুযায়ী: Александров И. А. Иван Анатольевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2015)
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2013)
Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
অনুযায়ী: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
প্রকাশিত: (2012)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
অনুযায়ী: Васенев А. С.
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Васенев А. С.
প্রকাশিত: (2012)
Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2011)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
অনুযায়ী: Ерофеев Е. В.
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Ерофеев Е. В.
প্রকাশিত: (2017)
Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
প্রকাশিত: (2016)
প্রকাশিত: (2016)
Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2017)
অনুযায়ী: Ли Цзысюань
প্রকাশিত: (2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2017)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2017)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2018)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, [Б. и.], 2018)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2024)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2024)
Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
অনুযায়ী: Грушко Н. С.
প্রকাশিত: (2004)
অনুযায়ী: Грушко Н. С.
প্রকাশিত: (2004)
Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 11-3
প্রকাশিত: (2013)
প্রকাশিত: (2013)
Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP; Студент и научно-технический прогресс
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
অনুযায়ী: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
অনুযায়ী: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
প্রকাশিত: (Томск, 2012)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 2-2
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2014)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2014)
Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
অনুযায়ী: Филато Д. О.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
অনুযায়ী: Филато Д. О.
প্রকাশিত: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)
Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами; Перспективные материалы; № 7
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Градобоев А. В. Александр Васильевич
প্রকাশিত: (2013)
Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
অনুযায়ী: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
প্রকাশিত: (2012)
Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
প্রকাশিত: (2011)
প্রকাশিত: (2011)
The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
অনুযায়ী: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
প্রকাশিত: (2015)
X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
প্রকাশিত: (2017)
প্রকাশিত: (2017)
Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами; Радиоэлектроника и молодежь в ХХІ веке; Т. 1
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (2012)
Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 5
প্রকাশিত: (2004)
প্রকাশিত: (2004)
Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2015)
Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
অনুযায়ী: Кудряшов В. Е.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Кудряшов В. Е.
প্রকাশিত: (2003)
Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
অনুযায়ী: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
প্রকাশিত: (Новосибирск, 2025)
Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 110 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials (RTEP2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2016)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: диссертация на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2017)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2017)
Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
প্রকাশিত: (2015)
প্রকাশিত: (2015)
Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
অনুযায়ী: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
প্রকাশিত: (Томск, 2013)
Каскадно-лавинная генерация электрон-дырочных пар в квантовых ямах типа II; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 3
অনুযায়ী: Перлин Е. Ю.
প্রকাশিত: (2003)
অনুযায়ী: Перлин Е. Ю.
প্রকাশিত: (2003)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2018)
অনুযায়ী: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
প্রকাশিত: (Томск, 2018)
Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Олешко В. И. Владимир Иванович
প্রকাশিত: (2015)
Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation; IOP Conference Series: Materials Science and Engineering; Vol. 81 : Radiation-Thermal Effects and Processes in Inorganic Materials
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2015)
Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons; Journal of Chemistry and Chemical Engineering; Vol. 7, № 5
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2013)
অনুযায়ী: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
প্রকাশিত: (2013)