Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 111-115]
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Summary:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2013
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия квантовые ямы фотолюминесценция рекомбинация
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639546

Similar Items

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
by: Александров И. А. Иван Анатольевич
Published: (Новосибирск, 2015)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
by: Ерофеев Е. В.
Published: (2017)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe
Published: (2004)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
by: Грушко Н. С.
Published: (2004)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
by: Кудряшов В. Е.
Published: (2003)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Published: (Томск, 2012)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов CsI:Eu2+
by: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
Published: (2012)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2017)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук спец. 1.3.11
by: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Published: (Новосибирск, 2025)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, 2018)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Published: (Томск, 2010)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
by: Филато Д. О.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures
Published: (2022)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Published: (2013)

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
by: Мехтиев А. Ш. Ариф Шафаят оглы
Published: (Баку, ЭЛМ, 1991)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3
by: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (2014)

"Двурезонансный" гистерезис туннельного тока в гетероструктурах w-GaN/AlGaN
by: Разжувалов А. Н. Александр Николаевич
Published: (2007)

Т. 7
Published: (1956)

Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2013)

High-voltage MIS-gated GaN transistors
Published: (2017)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures
by: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Published: (2008)