Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям

Bibliographic Details
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 111-115]
Corporate Author: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors: Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Summary:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published: 2013
Subjects:
Online Access:http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989
Format: Electronic Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639546