Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 111-115] |
|---|---|
| Autor corporatiu: | |
| Altres autors: | , , , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Idioma: | rus |
| Publicat: |
2013
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639546 |