Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Detalhes bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 111-115]
Autor Corporativo: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Outros Autores: Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович
Resumo:Заглавие с экрана
Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:russo
Publicado em: 2013
Assuntos:
Acesso em linha:http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989
Formato: Recurso Electrónico Capítulo de Livro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639546

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 639546
005 20250217133206.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\4033 
090 |a 639546 
100 |a 20150316d2013 k||y0rusy50 ca 
101 0 |a rus 
102 |a RU 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям  |f В. И. Олешко [и др.] 
203 |a Текст  |c электронный 
300 |a Заглавие с экрана 
320 |a [Библиогр.: с. 115 (4 назв.)] 
330 |a Представлены результаты исследования спонтанной и стимулированной фото- и катодолюминесценции светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям. Исследуемые гетероструктуры, выращенные на сапфировых подложках (0001) методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений, содержали одну и множественные квантовые ямы. Возбуждение гетероструктур осуществлялось азотным лазером и сильноточным электронным пучком. Наблюдаемые особенности спектрально-кинетических характеристик спонтанной фото- и катодолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены в рамках модели трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Известия вузов. Физика  |o научный журнал  |d 1957- 
463 |t Т. 56, № 8-3  |v [С. 111-115]  |d 2013 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
610 1 |a нитрид галлия 
610 1 |a квантовые ямы 
610 1 |a фотолюминесценция 
610 1 |a рекомбинация 
701 1 |a Олешко  |b В. И.  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1948-  |g Владимир Иванович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27390  |9 12727 
701 1 |a Горина  |b С. Г.  |c специалист в области светотехники  |c инженер Томского политехнического университета  |f 1988-  |g Светлана Геннадьевна  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31458  |9 15620 
701 1 |a Корепанов  |b В. И.  |c специалист в области светотехники  |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук  |f 1947-  |g Владимир Иванович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\26561  |9 12250 
701 1 |a Лисицын  |b В. М.  |c физик  |c профессор Томского политехнического университета, кандидат физико-математических наук  |f 1939-  |g Виктор Михайлович  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\10510  |9 2237 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ)  |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150420  |g RCR 
856 4 |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20686989 
942 |c CF