Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2

Bibliographische Detailangaben
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 56, № 1-2.— 2013.— [С. 175-177]
Körperschaft: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Weitere Verfasser: Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович
Zusammenfassung:Заглавие с экрана
Изучено влияние плотности энергии электронного пучка на амплитудные и спектрально-кинетические характеристики люминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Обнаружено стимулированное излучение, возникающее в эпитаксиальных слоях GaN и InGaN в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Sprache:Russisch
Veröffentlicht: 2013
Schlagworte:
Online-Zugang:http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391
Format: MixedMaterials Elektronisch Buchkapitel
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639514

Ähnliche Einträge