Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2

מידע ביבליוגרפי
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 56, № 1-2.— 2013.— [С. 175-177]
מחבר תאגידי: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
מחברים אחרים: Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович
סיכום:Заглавие с экрана
Изучено влияние плотности энергии электронного пучка на амплитудные и спектрально-кинетические характеристики люминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Обнаружено стимулированное излучение, возникающее в эпитаксиальных слоях GaN и InGaN в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
שפה:רוסית
יצא לאור: 2013
נושאים:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
светодиодные структуры
электронные пучки
стимулированное излучение
גישה מקוונת:http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391
פורמט: אלקטרוני Book Chapter
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639514

אינטרנט

http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391

פריטים דומים