Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1-2.— 2013.— [С. 175-177]
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altres autors:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович
Sumari:	Заглавие с экрана Изучено влияние плотности энергии электронного пучка на амплитудные и спектрально-кинетические характеристики люминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Обнаружено стимулированное излучение, возникающее в эпитаксиальных слоях GaN и InGaN в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:	rus
Publicat:	2013
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светодиодные структуры электронные пучки стимулированное излучение
Accés en línia:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639514

Internet

http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391