Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1-2.— 2013.— [С. 175-177]
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович
Summary:	Заглавие с экрана Изучено влияние плотности энергии электронного пучка на амплитудные и спектрально-кинетические характеристики люминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Обнаружено стимулированное излучение, возникающее в эпитаксиальных слоях GaN и InGaN в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2013
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ светодиодные структуры электронные пучки стимулированное излучение
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639514

Internet

http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391