Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1-2.— 2013.— [С. 175-177] |
|---|---|
| Institution som forfatter: | |
| Andre forfattere: | , , , , , |
| Summary: | Заглавие с экрана Изучено влияние плотности энергии электронного пучка на амплитудные и спектрально-кинетические характеристики люминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Обнаружено стимулированное излучение, возникающее в эпитаксиальных слоях GaN и InGaN в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Sprog: | russisk |
| Udgivet: |
2013
|
| Fag: | |
| Online adgang: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21635391 |
| Format: | Electronisk Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639514 |
| Summary: | Заглавие с экрана Изучено влияние плотности энергии электронного пучка на амплитудные и спектрально-кинетические характеристики люминесценции светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Обнаружено стимулированное излучение, возникающее в эпитаксиальных слоях GaN и InGaN в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|