Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 7-2.— 2013.— [С. 82-86]
Main Author:	Олешко В. И. Владимир Иванович
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Summary:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования время-разрешенной фотолюминесценции нелегированных структур InGaN/GaN, содержащих одну и семь квантовых ям, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рост структур проводился на сапфировых подложках Al 2O 3 с ориентацией (0001). Наблюдаемые свойства фотолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены проявлением трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2013
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия квантовые ямы фотолюминесценция рекомбинация
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21115160
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639434

Similar Items

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Published: (2013)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
by: Александров И. А. Иван Анатольевич
Published: (Новосибирск, 2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2013)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001)
by: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Published: (2012)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами
by: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Published: (2011)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
by: Васенев А. С.
Published: (2012)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN
Published: (2016)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
by: Ерофеев Е. В.
Published: (2017)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
by: Ли Цзысюань
Published: (2017)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2024)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe
Published: (2004)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой
by: Грушко Н. С.
Published: (2004)

Каскадно-лавинная генерация электрон-дырочных пар в квантовых ямах типа II
by: Перлин Е. Ю.
Published: (2003)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
by: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Published: (Томск, [Б. и.], 2018)

Примесное поглощение света с участием резонансных состояний мелких доноров в квантовых ямах
by: Алешкин В. Я.
Published: (2004)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
by: Филато Д. О.
Published: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN)
Published: (2011)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка
by: Олешко В. И. Владимир Иванович
Published: (2015)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures
by: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Published: (2012)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures
by: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Published: (2015)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Published: (Томск, 2012)

Deterioration of Watt and Voltage Characteristics of AlGaInP Heterostructures under Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Основные способы увеличения мощности излучения светодиодов AlGaInP с квантовыми ямами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire
Published: (2017)

Особенности перестройки электронного спектра двухъямной гетероструктуры GaAs/AlGaAs с переменной размерностью электронных состояний во внешнем электричесом поле
Published: (2004)

Радиационная стойкость гетероструктур AlGaInP (λ = 630 нм) с множественными квантовыми ямами
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2014)

Transition in AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells during fast neutron radiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)

Диагностика радиационной стойкости светодиодов с наноразмерными квантовыми ямами на основе гетероструктур AlGaInP
by: Орлова К. Н. Ксения Николаевна
Published: (2012)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке
Published: (2015)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]
by: Кудряшов В. Е.
Published: (2003)

Исследование гетероструктур AlGaInP при облучении гамма-квантами в области перестройки дефектной структуры
Published: (2013)

Investigation of Changing Volt-Ampere Characteristics of AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells under Ionizing Radiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2016)

Resistance of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures to Irradiation by Fast Neutrons
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2013)

Gamma degradation of light-emitting diodes based on heterostructured AlGaInP
by: Orlova K. N. Kseniya Nikolaevna
Published: (2012)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.10
by: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Published: (Томск, 2010)

Phenomenological Model of Radiation Hardness of LEDs Based on AlGaInP Heterostructures with Multiple Quantum Wells
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2019)

LEDs based upon AlGaInP heterostructures with multiple quantum wells: comparison of fast neutrons and gammaquanta irradiation
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2018)

Investigation of AlGaInP heterostructures under gamma-irradiation in the field of restructuring defect structure
by: Gradoboev A. V. Aleksandr Vasilyevich
Published: (2015)