Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2

Podrobná bibliografie
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 7-2.— 2013.— [С. 82-86]
Hlavní autor:	Олешко В. И. Владимир Иванович
Korporativní autor:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Další autoři:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Shrnutí:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования время-разрешенной фотолюминесценции нелегированных структур InGaN/GaN, содержащих одну и семь квантовых ям, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рост структур проводился на сапфировых подложках Al 2O 3 с ориентацией (0001). Наблюдаемые свойства фотолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены проявлением трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Jazyk:	ruština
Vydáno:	2013
Témata:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия квантовые ямы фотолюминесценция рекомбинация
On-line přístup:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21115160
Médium:	Elektronický zdroj Kapitola
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639434

Podobné jednotky

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Autor: Александров И. А. Иван Анатольевич
Vydáno: (Новосибирск, 2015)

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
Autor: Ерофеев Е. В.
Vydáno: (2017)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Vydáno: (2016)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
Autor: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Vydáno: (2012)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2024)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
Autor: Ли Цзысюань
Vydáno: (2017)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Autor: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Vydáno: (2011)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)

Захват и рекомбинация носителей в полупроводниковых квантовых точках CDSe/ZnSe; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 1
Vydáno: (2004)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)

Влияние термо-и микроволновой обработок на свойства омических контактов K n-n+-n++ -Inp(GaAs, GaN); Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
Vydáno: (2011)

Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой; Известия вузов. Физика; Т. 47, № 11
Autor: Грушко Н. С.
Vydáno: (2004)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2015)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
Autor: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Vydáno: (2012)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
Autor: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Vydáno: (2015)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Vydáno: (2017)

Туннельная излучательная рекомбинация в p-n- гетероструктурах на основе нитрида галлия и других соединнений типа [AIIIBV]; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 124, вып. 5
Autor: Кудряшов В. Е.
Vydáno: (2003)

Особенности оптических свойств сильно легированного GaAs:Te в условиях коррелированного распределения примеси: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Сидоров Е. Н. Евгений Николаевич
Vydáno: (Томск, 2010)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Vydáno: (2015)

Фотолюминесценция жидких и твердых веществ
Autor: Лёвшин В. Л.
Vydáno: (Москва, Государственное издательство технико-теоретической литературы, 1951)

Комплекс лабораторных работ «Физика твердотельных наноструктур»
Autor: Филато Д. О.
Vydáno: (Нижний Новгород, ННГУ им. Н. И. Лобачевского, 2010)

Каскадно-лавинная генерация электрон-дырочных пар в квантовых ямах типа II; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 123, вып. 3
Autor: Перлин Е. Ю.
Vydáno: (2003)

Physical nature of size effects in TiAlNiAu/GaN ohmic contacts to AlGaN/GaN heteroepitaxial structures; Semiconductor Science and Technology; Vol. 37, iss. 5
Vydáno: (2022)

Излучательная рекомбинация в Cdx Hg1-x Te
Autor: Мехтиев А. Ш. Ариф Шафаят оглы
Vydáno: (Баку, ЭЛМ, 1991)

Characterization of Defects and Deep Levels for GaN Power Devices
Autor: Narita, Tetsuo
Vydáno: (2020)

Примесное поглощение света с участием резонансных состояний мелких доноров в квантовых ямах; Журнал экспериментальной и теоретической физики; Т. 125, вып. 6
Autor: Алешкин В. Я.
Vydáno: (2004)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Vydáno: (2013)

Фотолюминесцентные свойства гетероструктур на основе CdxHg1-xTe с потенциальными и квантовыми ямами, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.10
Autor: Горн Д. И. Дмитрий Игоревич
Vydáno: (Томск, 2012)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия кристаллов CsI:Eu2+; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 6-2
Autor: Яковлев В. Ю. Виктор Юрьевич
Vydáno: (2012)

Т. 7; Труды физического института
Vydáno: (1956)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
Autor: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Vydáno: (2017)

Время-разрешенная люминесцентная спектроскопия эпитаксиальных слоев GaN, выращенных на подложках Al2O3; Современные техника и технологии; Т. 2
Autor: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (2014)

Фотолюминесценция кристалла NaF:U; Перспективы развития фундаментальных наук
Autor: Моисеева А. В. Алиса Вадимовна
Vydáno: (2012)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
Autor: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Vydáno: (Новосибирск, 2025)

Hysteresis of tunnel current in w-GaN/AlGaN(0001) double-barrier structures; Semiconductors; Vol. 42, iss. 5
Autor: Razzhuvalov A. N. Alexander Nikolaevich
Vydáno: (2008)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Химия и химическая технология в XXI веке
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)