Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 7-2.— 2013.— [С. 82-86]
Main Author:	Олешко В. И. Владимир Иванович
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Summary:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования время-разрешенной фотолюминесценции нелегированных структур InGaN/GaN, содержащих одну и семь квантовых ям, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рост структур проводился на сапфировых подложках Al 2O 3 с ориентацией (0001). Наблюдаемые свойства фотолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены проявлением трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2013
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия квантовые ямы фотолюминесценция рекомбинация
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=21115160
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639434

Internet

http://elibrary.ru/item.asp?id=21115160