Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 7-2.— 2013.— [С. 82-86] |
|---|---|
| 主要作者: | |
| 企業作者: | |
| 其他作者: | |
| 總結: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования время-разрешенной фотолюминесценции нелегированных структур InGaN/GaN, содержащих одну и семь квантовых ям, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рост структур проводился на сапфировых подложках Al 2O 3 с ориентацией (0001). Наблюдаемые свойства фотолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены проявлением трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 語言: | 俄语 |
| 出版: |
2013
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21115160 |
| 格式: | 電子 Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639434 |