Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 7-2.— 2013.— [С. 82-86] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor Corporativo: | |
| Otros Autores: | |
| Sumario: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования время-разрешенной фотолюминесценции нелегированных структур InGaN/GaN, содержащих одну и семь квантовых ям, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рост структур проводился на сапфировых подложках Al 2O 3 с ориентацией (0001). Наблюдаемые свойства фотолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены проявлением трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Publicado: |
2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://elibrary.ru/item.asp?id=21115160 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639434 |
| Sumario: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования время-разрешенной фотолюминесценции нелегированных структур InGaN/GaN, содержащих одну и семь квантовых ям, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Рост структур проводился на сапфировых подложках Al 2O 3 с ориентацией (0001). Наблюдаемые свойства фотолюминесценции InGaN/GaN-квантовых ям объяснены проявлением трехмерной донорно-акцепторной рекомбинации. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
|---|