Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Dades bibliogràfiques
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 97-101]
Autor principal:	Олешко В. И. Владимир Иванович
Autor corporatiu:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altres autors:	Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Sumari:	Заглавие с экрана Представлены первые результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений светодиодных гетероструктур GaN/InGaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе многоимпульсного облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:	rus
Publicat:	2013
Matèries:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия люминесценция электронные пучки вынужденное излучение сильноточные пучки
Accés en línia:	http://elibrary.ru/item.asp?id=20686986
Format:	Electrònic Capítol de llibre
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639432

Ítems similars

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
Publicat: (2013)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, 2018)

Механизмы разрушения в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Ученые записки физического факультета Московского университета; № 5
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Козубова М. А.
Publicat: (2013)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2018)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
per: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Publicat: (Томск, [Б. и.], 2018)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Publicat: (2013)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2013)

Морфология разрушений в гетероструктурах InGaN/GaN под действием сильноточного электронного пучка; Письма в Журнал технической физики; Т. 41, вып. 15
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2015)

Luminescent diagnostics of led heterostructures based on InGaN/GaN; Energy Fluxes and Radiation Effects (EFRE-2016)
Publicat: (2016)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
per: Васенев А. С.
Publicat: (2012)

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
Publicat: (2013)

Модифицирование матриксов из поли-L-молочной кислоты импульсным сильноточным электронным пучком; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
per: Кудрявцева В. Л. Валерия Львовна
Publicat: (2015)

Обработка сплава ZR-1NB сильноточным импульсным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 2
per: Залогина А. С.
Publicat: (2013)

Модифицирование свойств циркониевой керамики сильноточным пучком низкоэнергетических электронов; Перспективные материалы; № 4
Publicat: (2006)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
per: Ерофеев Е. В.
Publicat: (2017)

Морфология разрушений, образующихся в полиметилметакрилате при облучении сильноточным электронным пучком в режиме филаментации и самофокусировки; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
per: Нгуен В. В.
Publicat: (2020)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (2024)

Деградация светодиодов на основе гетероструктур InGaN/GaN при облучении гамма-квантами; Известия вузов. Физика; Т. 54, № 1/2 : Радиационно-термические эффекты и процессы в неорганических материалах
per: Градобоев А. В. Александр Васильевич
Publicat: (2011)

Время разрешенная фотолюминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Высокие технологии в современной науке и технике (ВТСНТ-2017)
per: Ли Цзысюань
Publicat: (2017)

Влияние модификации поверхности сильноточным электронным пучком на кинетику структуры гидридных фаз в титане; Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования; № 3
per: Тимченко Н. А. Николай Алексеевич
Publicat: (2015)

Математическое моделирование начальной стадии формирования переходного слоя между пленкой и подложкой при нагреве сильноточным электронным пучком; Фундаментальные и прикладные проблемы современной механики (ФППСМ-2018)
per: Парфёнова Е. С. Елена Сергеевна
Publicat: (2018)

Analysis of boundary conditions for the envelope functions of GaN/InGaN(0001) heterostructures; Russian Physics Journal; Vol. 55, iss. 7
per: Karavaev G. F. Gennady Fedorovich
Publicat: (2012)

The morphology of high-current electron-beam-initiated fractures in InGaN/GaN heterostructures; Technical Physics Letters; Vol. 41, iss. 8
per: Oleshko V. I. Vladimir Ivanovich
Publicat: (2015)

Анализ граничных условий для огибающих функций в гетероструктурах GaN/InGaN(0001); Известия вузов. Физика; Т. 55, № 7
per: Караваев Г. Ф. Геннадий Федорович
Publicat: (2012)

X-ray Bragg Ptychography on a Single InGaN/GaN Core-Shell Nanowire; ACS Nano; Vol. 11, iss. 7
Publicat: (2017)

Неустойчивое состояние кристаллической решетки [alpha]-Ti в поверхностных слоях образцов титановых сплавов, обработанных низкоэнергетическим сильноточным импульсным электронным пучком; Иерархические материалы: разработка и приложения для новых технологий и надежных конструкций
per: Перевалова О. Б.
Publicat: (2018)

Эпитаксиальные слои GaN на кремниевых подложках для AlGaN/GaN гетероструктур с высокой подвижностью электронов: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата технических наук; спец. 1.3.11
per: Малин Т. В. Тимур Валерьевич
Publicat: (Новосибирск, 2025)

Оптические и волноводные свойства эпитаксиальных структур GaN/InGaN, выращенных на сапфировой подложке; Известия вузов. Физика; Т. 58, № 8-3
Publicat: (2015)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 1
per: Бабкина Е. И.
Publicat: (2012)

Электронно-микроскопические исследования алюмооксидной керамики, обработанной сильноточным импульсным пучком низкоэнергетических электронов; Известия вузов. Физика; Т. 64, № 2 (758)
per: Гынгазов С. А. Сергей Анатольевич
Publicat: (2021)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
per: Цзысюань Ли
Publicat: (2023)

Formation and propagation of pulsed high current plasma and ion beams in transverse magnetic field and magnetized plasma: dissertation submitted for the candidate of Physics and Mathematical Sciences; спец. 01.04.20
per: Anderson M. G. Michael Gordon
Publicat: (Tomsk, [Б. и.], 2006)

Трубчатый сильноточный электронный пучок с разбросом по энергии в коаксиальном диоде с магнитной изоляцией; Физика плазмы; Т. 39, № 11
per: Гришков А. А. Антон Андреевич
Publicat: (2013)

Некоторые задачи преобразования энергии сильноточных релятивистских пучков
Publicat: (Ташкент, Фан, 1990)

Исследование характеристик импульсного сильноточного электронного пучка; Высокие технологии в современной науке и технике; Т. 1
per: Ротарь С. В.
Publicat: (2013)

Регулировка временной паузы между импульсами при инжекции двух сильноточных релятивистских электронных пучков в газовый объём плазмохимического реактора; Приборы и техника эксперимента; № 3
per: Кондратьев Н. А.
Publicat: (2004)

О природе акустических волн, генерируемых в ионных кристаллах сильноточными электронными пучками; Журнал технической физики; Т. 57, вып. 9
per: Олешко В. И. Владимир Иванович
Publicat: (1987)