Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3

Detalles Bibliográficos
Parent link:Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957-
Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 97-101]
Autor Principal: Олешко В. И. Владимир Иванович
Autor Corporativo: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Outros autores: Горина С. Г. Светлана Геннадьевна
Summary:Заглавие с экрана
Представлены первые результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений светодиодных гетероструктур GaN/InGaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе многоимпульсного облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Idioma:ruso
Publicado: 2013
Subjects:
электронный ресурс
труды учёных ТПУ
нитрид галлия
люминесценция
электронные пучки
вынужденное излучение
сильноточные пучки
Acceso en liña:http://elibrary.ru/item.asp?id=20686986
Formato: Electrónico Capítulo de libro
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639432

Títulos similares

Títulos similares