Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 97-101] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor Corporativo: | |
| Otros Autores: | |
| Sumario: | Заглавие с экрана Представлены первые результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений светодиодных гетероструктур GaN/InGaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе многоимпульсного облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Lenguaje: | ruso |
| Publicado: |
2013
|
| Materias: | |
| Acceso en línea: | http://elibrary.ru/item.asp?id=20686986 |
| Formato: | Electrónico Capítulo de libro |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639432 |