Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 8-3.— 2013.— [С. 97-101] |
|---|---|
| 主要作者: | |
| 企業作者: | |
| 其他作者: | |
| 總結: | Заглавие с экрана Представлены первые результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений светодиодных гетероструктур GaN/InGaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе многоимпульсного облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| 語言: | 俄语 |
| 出版: |
2013
|
| 主題: | |
| 在線閱讀: | http://elibrary.ru/item.asp?id=20686986 |
| 格式: | 電子 Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639432 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 639432 | ||
| 005 | 20250217103949.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\3918 | ||
| 090 | |a 639432 | ||
| 100 | |a 20150311d2013 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком |f В. И. Олешко, С. Г. Горина | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 101 (8 назв.)] | ||
| 330 | |a Представлены первые результаты экспериментальных исследований морфологии разрушений светодиодных гетероструктур GaN/InGaN, нанесенных на сапфировые подложки, после многоимпульсного облучения сильноточным электронным пучком. Обнаружено, что возбуждение образцов электронным пучком пороговой плотности со стороны гетероструктуры приводит к формированию микроразрушений, количество, размеры и форма которых изменяются в процессе многоимпульсного облучения и определяются индивидуальными свойствами исследованных образцов. В гетероструктурах, имеющих стимулированную люминесценцию, в момент импульса возбуждения на фоне однородной катодолюминесценции регистрируются яркие микрозоны, пространственное расположение которых совпадает с расположением остаточных микроразрушений. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Известия вузов. Физика |o научный журнал |d 1957- | ||
| 463 | |t Т. 56, № 8-3 |v [С. 97-101] |d 2013 | ||
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a нитрид галлия | |
| 610 | 1 | |a люминесценция | |
| 610 | 1 | |a электронные пучки | |
| 610 | 1 | |a вынужденное излучение | |
| 610 | 1 | |a сильноточные пучки | |
| 700 | 1 | |a Олешко |b В. И. |c специалист в области светотехники |c профессор Томского политехнического университета, доктор физико-математических наук |f 1948- |g Владимир Иванович |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\27390 |9 12727 | |
| 701 | 1 | |a Горина |b С. Г. |c специалист в области светотехники |c инженер Томского политехнического университета |f 1988- |g Светлана Геннадьевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31458 |9 15620 | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Институт физики высоких технологий (ИФВТ) |b Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18690 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150420 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=20686986 | |
| 942 | |c CF | ||