Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1.— 2013.— [С. 55-58]
Ente Autore:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Altri autori:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович
Riassunto:	Заглавие с экрана Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Pubblicazione:	2013
Soggetti:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия люминесценция электронные пучки вынужденное излучение
Accesso online:	http://elibrary.ru/item.asp?id=18805831
Natura:	Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639428

Documenti analoghi

Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении электронным пучком
di: Бабкина Е. И.
Pubblicazione: (2012)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
di: Козубова М. А.
Pubblicazione: (2013)

Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
Pubblicazione: (2013)

Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN
di: Васенев А. С.
Pubblicazione: (2012)

Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком
di: Цзысюань Ли
Pubblicazione: (2023)

Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком
di: Ли Цзысюань
Pubblicazione: (2018)

Люминесценция и нелинейная оптика
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1972)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2017)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, 2018)

Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук Спец. 01.04.10
di: Александров И. А. Иван Анатольевич
Pubblicazione: (Новосибирск, 2015)

Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures
di: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Pubblicazione: (2017)

Возбуждение люминесценции импульсным электронным пучком в природных топазах различного генезиса
di: Кудрявцев А. В.
Pubblicazione: (2008)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2017)

Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2013)

Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям
Pubblicazione: (2013)

Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами
di: Ерофеев Е. В.
Pubblicazione: (2017)

Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения
di: Лысык В. В.
Pubblicazione: (2011)

Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук спец. 01.04.07
di: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Pubblicazione: (Томск, [Б. и.], 2018)

Обработка сплава ZR-1NB сильноточным импульсным электронным пучком
di: Залогина А. С.
Pubblicazione: (2013)

Особенности кинетики излучения аннигиляционных гамма-лазеров
di: Чуриков В. А.
Pubblicazione: (2003)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
di: Черепанова Д. Н.
Pubblicazione: (2018)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
di: Черепанова Д. Н.
Pubblicazione: (2017)

Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках
di: Олешко В. И. Владимир Иванович
Pubblicazione: (2024)

Экситонная и доменная люминесценция полупроводников [сборник научных трудов]
Pubblicazione: (Москва, Наука, 1977)

Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
di: Костылев С. А. Сергей Александрович
Pubblicazione: (Киев, Наукова думка, 1990)

Исследование и применение широкозонных полупроводников сборник научных трудов
Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)

Полупроводниковая электроника сборник научных трудов
Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)

Модифицирование матриксов из поли-L-молочной кислоты импульсным сильноточным электронным пучком
di: Кудрявцева В. Л. Валерия Львовна
Pubblicazione: (2015)

Эффекты вынужденого излучения в жидких частицах и каплях с красителем
di: Донченко В. А.
Pubblicazione: (2003)

Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия
di: Черепанова Д. Н.
Pubblicazione: (2017)

Перспективные материалы радиоэлектроники сборник научных трудов
Pubblicazione: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)

Поверхностная и бъемная модифкация марганцовистой стали сильноточным низкоэнергическим электронным пучком
di: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Pubblicazione: (2003)

Поверхностная и объёмная модификация марганцовистой стали сильноточным низкоэнергетическим электронным пучком
di: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Pubblicazione: (2003)

Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия
di: Гурская А. А.
Pubblicazione: (2004)

Люминесценция ИАГ:СЕ люминофоров при возбуждении излучениями эксимерных лазеров
Pubblicazione: (2019)

Излучательные характеристики электрического разряда, инициируемого сильноточным электронным пучком в атмосфере
di: Мухаметулы Е.
Pubblicazione: (2011)

Люминесценция кристаллов
Pubblicazione: (Тарту, 1978)

Инициирование ФТДО и смесей на его основе сильноточным электронным пучком
di: Лысык В. В.
Pubblicazione: (2014)

Люминесценция кристалла флюорита при синхронном электронном и оптическом возбуждении
Pubblicazione: (2016)