Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1.— 2013.— [С. 55-58] |
|---|---|
| Korporativní autor: | Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ) |
| Další autoři: | Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович |
| Shrnutí: | Заглавие с экрана Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Jazyk: | ruština |
| Vydáno: |
2013
|
| Témata: | |
| On-line přístup: | http://elibrary.ru/item.asp?id=18805831 |
| Médium: | Elektronický zdroj Kapitola |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639428 |
Podobné jednotky
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 1
Autor: Бабкина Е. И.
Vydáno: (2012)
Autor: Бабкина Е. И.
Vydáno: (2012)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Козубова М. А.
Vydáno: (2013)
Autor: Козубова М. А.
Vydáno: (2013)
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012)
Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Перспективы развития фундаментальных наук; Т. 1 : Физика
Autor: Цзысюань Ли
Vydáno: (2023)
Autor: Цзысюань Ли
Vydáno: (2023)
Разрушение светодиодных гетероструктур при облучении сильноточным электронным пучком; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
Autor: Ли Цзысюань
Vydáno: (2018)
Autor: Ли Цзысюань
Vydáno: (2018)
Люминесценция и нелинейная оптика
Vydáno: (Москва, Наука, 1972)
Vydáno: (Москва, Наука, 1972)
Время-разрешенная фотолюминесценция в квантовых ямах InGaN/GaN; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Времяразрешенная люминесцентная спектроскопия гетероструктур на основе InGaN/GaN-квантовых ям; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Vydáno: (2013)
Vydáno: (2013)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, 2017)
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, 2017)
Процессы рекомбинации в квантовых точках GaN в матрице AIN: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; Спец. 01.04.10
Autor: Александров И. А. Иван Анатольевич
Vydáno: (Новосибирск, 2015)
Autor: Александров И. А. Иван Анатольевич
Vydáno: (Новосибирск, 2015)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, 2018)
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, 2018)
Явления токопереноса в тонкопленочных арсенидгаллиевых структурах
Autor: Костылев С. А. Сергей Александрович
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1990)
Autor: Костылев С. А. Сергей Александрович
Vydáno: (Киев, Наукова думка, 1990)
Power switching transistors based on gallium nitride epitaxial heterostructures; Russian Microelectronics; Vol. 46, iss. 3
Autor: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Vydáno: (2017)
Autor: Erofeev E. V. Evgeny Viktorovich
Vydáno: (2017)
Разработка макета дискретного быстродействующего драйвера управления силовыми GaN транзисторами; Интеллектуальные энергосистемы; Т. 3
Autor: Ерофеев Е. В.
Vydáno: (2017)
Autor: Ерофеев Е. В.
Vydáno: (2017)
Особенности кинетики излучения аннигиляционных гамма-лазеров; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 12
Autor: Чуриков В. А.
Vydáno: (2003)
Autor: Чуриков В. А.
Vydáno: (2003)
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Химия и химическая технология в XXI веке
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)
Влияние плотности дислокаций на суперлюминесценцию эпитаксиальных слоев GaN, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии на сапфировых подложках; Прикладная физика; № 3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2024)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2024)
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Перспективные материалы конструкционного и медицинского назначения
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2018)
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2018)
Экситонная и доменная люминесценция полупроводников: [сборник научных трудов]
Vydáno: (Москва, Наука, 1977)
Vydáno: (Москва, Наука, 1977)
Исследование и применение широкозонных полупроводников: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1982)
Возбуждение люминесценции импульсным электронным пучком в природных топазах различного генезиса; Проблемы геологии и освоения недр
Autor: Кудрявцев А. В.
Vydáno: (2008)
Autor: Кудрявцев А. В.
Vydáno: (2008)
Полупроводниковая электроника: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1979)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2017)
Эффекты вынужденого излучения в жидких частицах и каплях с красителем; Известия вузов. Физика; Т. 46, № 8
Autor: Донченко В. А.
Vydáno: (2003)
Autor: Донченко В. А.
Vydáno: (2003)
Вынужденное излучение в кристаллах сульфида кадмия при высоких уровнях возбуждения; Современные техника и технологии; Т. 2
Autor: Лысык В. В.
Vydáno: (2011)
Autor: Лысык В. В.
Vydáno: (2011)
Проблемы высокотемпературного синтеза композита, содержащего нитрид галлия; Современные технологии и материалы новых поколений
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)
Autor: Черепанова Д. Н.
Vydáno: (2017)
Перспективные материалы радиоэлектроники: сборник научных трудов
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)
Vydáno: (Ленинград, Изд-во ЛЭТИ, 1984)
Люминесценция и разрушение гетероструктур на основе InGaN/GaN при облучении сильноточным электронным пучком: автореферат диссертации на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук; спец. 01.04.07
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)
Autor: Сысоева С. Г. Светлана Геннадьевна
Vydáno: (Томск, [Б. и.], 2018)
Обработка сплава ZR-1NB сильноточным импульсным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 2
Autor: Залогина А. С.
Vydáno: (2013)
Autor: Залогина А. С.
Vydáno: (2013)
О "теплом" и "холодном" свете (тепловое излучение и люминесценция)
Autor: Вавилов С. И.
Vydáno: (Москва, Изд-во Академии наук СССР, 1949)
Autor: Вавилов С. И.
Vydáno: (Москва, Изд-во Академии наук СССР, 1949)
Люминесценция кристаллов
Vydáno: (Тарту, 1978)
Vydáno: (Тарту, 1978)
Разработка методологии контроля чистоты сапфировых подложек для изготовления гетеротранзисторов и оптоэлектронных приборов на основе нитрида галлия; Химия и химическая технология на рубеже тысячелетий
Autor: Гурская А. А.
Vydáno: (2004)
Autor: Гурская А. А.
Vydáno: (2004)
Модифицирование матриксов из поли-L-молочной кислоты импульсным сильноточным электронным пучком; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
Autor: Кудрявцева В. Л. Валерия Львовна
Vydáno: (2015)
Autor: Кудрявцева В. Л. Валерия Львовна
Vydáno: (2015)
Оптико-эмиссионная спектроскопия плазмы взрыва азидов тяжелых металлов при инициировании сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 7-2
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013)
Поверхностная и бъемная модифкация марганцовистой стали сильноточным низкоэнергическим электронным пучком; Физика и химия обработки материалов; № 1
Autor: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Vydáno: (2003)
Autor: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Vydáno: (2003)
Поверхностная и объёмная модификация марганцовистой стали сильноточным низкоэнергетическим электронным пучком; Физика и химия обработки материалов; № 1
Autor: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Vydáno: (2003)
Autor: Гнюсов С. Ф. Сергей Фёдорович
Vydáno: (2003)
Observation of the stimulated coherent diffraction radiation in an open resonator at LUCX facility; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section A: Accelerators, Spectrometers, Detectors and Associated Equipment; Vol. 763
Vydáno: (2014)
Vydáno: (2014)
Излучательные характеристики электрического разряда, инициируемого сильноточным электронным пучком в атмосфере; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Мухаметулы Е.
Vydáno: (2011)
Autor: Мухаметулы Е.
Vydáno: (2011)
Podobné jednotky
-
Деградация светодиодных гетероструктур на основе InGaN/GaN при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 8-3
Autor: Олешко В. И. Владимир Иванович
Vydáno: (2013) -
Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 1
Autor: Бабкина Е. И.
Vydáno: (2012) -
Стимулированная люминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Козубова М. А.
Vydáno: (2013) -
Имульсная люминесценция гетероструктур на основе GaN; Современные техника и технологии; Т. 3
Autor: Васенев А. С.
Vydáno: (2012) -
Суперлюминесценция светодиодных гетероструктур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1-2
Vydáno: (2013)