Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком

Bibliographic Details
Parent link:	Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1.— 2013.— [С. 55-58]
Corporate Author:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Институт физики высоких технологий (ИФВТ) Кафедра лазерной и световой техники (ЛиСТ)
Other Authors:	Олешко В. И. Владимир Иванович, Горина С. Г. Светлана Геннадьевна, Корепанов В. И. Владимир Иванович, Лисицын В. М. Виктор Михайлович, Прудаев И. А. Илья Анатольевич, Толбанов О. П. Олег Петрович
Summary:	Заглавие с экрана Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2013
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ нитрид галлия люминесценция электронные пучки вынужденное излучение
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=18805831
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639428

Internet

http://elibrary.ru/item.asp?id=18805831