Люминесценция тонкопленочных светодиодных структур при возбуждении сильноточным электронным пучком; Известия вузов. Физика; Т. 56, № 1
| Parent link: | Известия вузов. Физика: научный журнал.— , 1957- Т. 56, № 1.— 2013.— [С. 55-58] |
|---|---|
| Співавтор: | |
| Інші автори: | , , , , , |
| Резюме: | Заглавие с экрана Изучена возможность применения сильноточных электронных пучков для люминесцентного контроля светодиодных гетероструктур InGaN/GaN, нанесенных на сапфировые подложки. Показано, что возбуждение образцов электронным пучком со стороны гетероструктуры приводит к интенсивной люминесценции эпитаксиальных слоев GaN и InGaN, характеристики которой определяются предысторией образцов. Обнаружено вынужденное излучение, возникающее в отдельных светодиодных структурах при достижении плотности энергии электронного пучка порогового значения. Переход в режим вынужденного излучения в InGaN-квантовых ямах сопровождается появлением светящегося «гало» вокруг зоны возбуждения. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Мова: | Російська |
| Опубліковано: |
2013
|
| Предмети: | |
| Онлайн доступ: | http://elibrary.ru/item.asp?id=18805831 |
| Формат: | Електронний ресурс Частина з книги |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639428 |