Спектрально-угловые распределения излучения электронов и позитронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si

Спектрально-угловые распределения излучения электронов и позитронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si

Chi tiết về thư mục
Parent link:	ФВЗЧК-2014: тезисы докладов ХLIV международной Тулиновской конференции по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами, г. Москва, 27-29 мая, 2014 г./ Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова (МГУ), Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д. В. Скобельцына (НИИЯФ). [С. 56].— , 2014
Tác giả chính:	Богданов О. В. Олег Викторович
Nhiều tác giả của công ty:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ)
Tác giả khác:	Пивоваров Ю. Л. Юрий Леонидович, Тухфатуллин Т. А. Тимур Ахатович
Tóm tắt:	Заглавие с экрана
Được phát hành:	2014
Những chủ đề:	электронный ресурс труды учёных ТПУ спектрально-угловые распределения излучение электроны позитроны каналирование кристаллы кремний
Truy cập trực tuyến:	http://danp.sinp.msu.ru/pci2014/ProgramFull_pci2014.pdf#page=86
Định dạng:	Điện tử Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639113

Internet

http://danp.sinp.msu.ru/pci2014/ProgramFull_pci2014.pdf#page=86