Спектрально-угловые распределения излучения электронов и позитронов при плоскостном каналировании в полуволновом кристалле Si

類似資料

• Спектрально-угловые распределения излучения релятивистских электронов при плоскостном каналировании в HWC Si; Известия вузов. Физика; Т. 57, № 11/2 : Физико-технические проблемы получения и использования пучков заряженных частиц, нейтронов, плазмы и электромагнитного излучения : тематический выпуск
  著者:: Богданов О. В. Олег Викторович
  出版事項: (2014)
• Ориентационная зависимость потерь энергии 255 МэВ позитронов и электронов на излучение при каналировании в тонком кристалле Si; Известия вузов. Физика; Т. 55, № 11-2
  出版事項: (2012)
• Поправки к траекториям релятивистских электронов и позитронов при аксиальном каналировании в кристаллах; Ресурсоэффективным технологиям - энергию и энтузиазм молодых
  著者:: Захарова М. А.
  出版事項: (2013)
• Угловой момент излучения релятивистских электронов и позитронов при каналировании в тонких кристаллах; XLVI Международная Тулиновская конференция по физике взаимодействия заряженных частиц с кристаллами: ФВЗЧК-2016
  出版事項: (2016)
• Эволюция спектров излучения релятивистских позитронов при (100) и (111) каналировании в Si при изменении угла влёта и энергии частиц; Физико-технические проблемы атомной энергетики и промышленности
  著者:: Богданов О. В. Олег Викторович
  出版事項: (2007)