Total yield of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si and W crystals; Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms; Vol. 309

Detaylı Bibliyografya
Parent link:Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms: Scientific Journal
Vol. 309.— 2013.— [P. 59–62]
Kurumsal yazarlar: Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Физико-технический институт (ФТИ) Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ)
Diğer Yazarlar: Abdrachitov S. V. Sergey Vladimirovich, Bogdanov O. V. Oleg Viktorovich, Dabagov S. B., Pivovarov Yu. L. Yuriy Leonidovich, Tukhfatullin T. A. Timur Ahatovich
Özet:Title screen
Orientation dependences of channeling radiation total yield from relativistic 155-855 MeV electrons at both 〈1 0 0〉 axial and (1 0 0) planar channeling in thin silicon and tungsten crystals are studied by means of computer simulations. The model as well as computer code developed allows getting the quantitative results for orientation dependence of channeling radiation that can be used for crystal alignment in channeling experiments and/or for diagnostics of initial angular divergence of electron beam.
Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Dil:İngilizce
Baskı/Yayın Bilgisi: 2013
Konular:
Online Erişim:http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X13002619
Materyal Türü: Elektronik Kitap Bölümü
KOHA link:https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639098

MARC

LEADER 00000naa0a2200000 4500
001 639098
005 20250212133722.0
035 |a (RuTPU)RU\TPU\network\3496 
035 |a RU\TPU\network\3495 
090 |a 639098 
100 |a 20150220d2013 k||y0rusy50 ba 
101 0 |a eng 
102 |a NL 
135 |a drcn ---uucaa 
181 0 |a i  
182 0 |a b 
200 1 |a Total yield of channeling radiation from relativistic electrons in thin Si and W crystals  |f S. V. Abdrachitov [et al.] 
203 |a Text  |c electronic 
300 |a Title screen 
320 |a [References: p. 62 (15 tit.)] 
330 |a Orientation dependences of channeling radiation total yield from relativistic 155-855 MeV electrons at both 〈1 0 0〉 axial and (1 0 0) planar channeling in thin silicon and tungsten crystals are studied by means of computer simulations. The model as well as computer code developed allows getting the quantitative results for orientation dependence of channeling radiation that can be used for crystal alignment in channeling experiments and/or for diagnostics of initial angular divergence of electron beam. 
333 |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса 
461 |t Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms  |o Scientific Journal 
463 |t Vol. 309  |v [P. 59–62]  |d 2013 
610 1 |a электронный ресурс 
610 1 |a труды учёных ТПУ 
701 1 |a Abdrachitov  |b S. V.  |c physicist  |c assistant at Tomsk Polytechnic University  |f 1987-  |g Sergey Vladimirovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31543 
701 1 |a Bogdanov  |b O. V.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of Physical and Mathematical Sciences  |f 1981-  |g Oleg Viktorovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31518  |9 15679 
701 1 |a Dabagov  |b S. B. 
701 1 |a Pivovarov  |b Yu. L.  |c physicist  |c professor of Tomsk Polytechnic University  |f 1953-  |g Yuriy Leonidovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\31522 
701 1 |a Tukhfatullin  |b T. A.  |c physicist  |c Associate Professor of Tomsk Polytechnic University, Candidate of physical and mathematical sciences  |f 1971-  |g Timur Ahatovich  |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\33633 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра теоретической и экспериментальной физики (ТиЭФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18726 
712 0 2 |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ)  |b Физико-технический институт (ФТИ)  |b Кафедра высшей математики и математической физики (ВММФ)  |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18727 
801 2 |a RU  |b 63413507  |c 20150220  |g RCR 
856 4 |u http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0168583X13002619 
942 |c CF