Облучение гамма-квантами 60Co светодиодов на основе гетероструктур AlGaInP множественными квантовыми ямами
| Parent link: | Перспективные материалы.— , 1995- № 7.— 2013.— [С. 49-55] |
|---|---|
| Main Author: | |
| Corporate Authors: | , |
| Other Authors: | , |
| Summary: | Заглавие с экрана Исследовано изменение параметров светодиодов (СД), изготовленных из различных гетероструктур AlGaInP (l1 = 590 нм и l2 = 630 нм), с множественными квантовыми ямами, при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. По виду вольт-амперной (ВАХ)и ватт-амперной характеристик (ВтАХ) исходных диодов выделены области средней и высокой инжекции электронов. Наклон закономерности изменения мощности излучения и рабочего тока в области средней инжекции практически не зависят от ширины запрещенной зоны, в то время как в области высокой инжекции электронов наклон ВАХ и ВтАХ увеличивается с уменьшением ширины запрещенной зоны. С ростом экспозиционной дозы мощность излучения уменьшается прямо пропорционально дозе и обратно пропорционально величине рабочего тока, при котором проводится измерение мощности, а также увеличиваются различия между областями средней и высокой инжекции электронов. Представлена радиационная модель СД, согласно которой деградация мощности излучения при облучении гамма-квантами происходит в два этапа: на первом этапе происходит введение центров безизлучательной рекомбинации (или центров поглощения излучения), а на втором этапе происходит снижение мощности излучения. There are results of the study of parameters of LEDs with multiple quantum wells, made of various heterostructures AlGaInP (l1 = 590 nm and l2 = 630 nm) and irradiated by gamma rays 60Co. Irradiation was in passive mode. According to the type of current-voltage and light-current characteristics of the original diodes marked area average electron injection and area high electron injection. Slope patterns of change of the radiation power and operating current in the area average electron injection is almost independent of the band gap, while in the area high electron injection slope of current-voltage and light- current characteristics increases with decreasing band gap. With increasing exposure dose radiation power is reduced in direct to dose and inversely proportional to the operating current, which is measured. The difference between the area average electron injection and area high electron injection is increased. LED radiation model are presented, according to which the degradation of the radiation power irradiated by gamma rays is in two stages: the first stage is the introduction of nonradiative recombination centers (centers or absorption, and the second step is the loss of power. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Published: |
2013
|
| Subjects: | |
| Online Access: | http://elibrary.ru/item.asp?id=20132780 |
| Format: | Electronic Book Chapter |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639027 |