Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2
| Parent link: | Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру: научно-технический сборник/ Научно-исследовательский институт приборов.— , 1973- № 2.— 2013.— [С. 64-66] |
|---|---|
| Egile nagusia: | |
| Egile korporatiboa: | , |
| Beste egile batzuk: | , |
| Gaia: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении. Results of radiation resistance research of heterostructures AlGaInP with multiple quantum wells on the example of LEDs with wavelength of 623 nanometers at radiation by fast neutrons and gamma quantums 60Со in passive power mode are presented. It is set that emission power of diodes at radiation decreases in proportion to radiation dose and in inverse proportion to value of working current, thus level of its lowering decreases in process of growth of density of working current used at measurement. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Hizkuntza: | errusiera |
| Argitaratua: |
2013
|
| Gaiak: | |
| Sarrera elektronikoa: | http://elibrary.ru/item.asp?id=19091587 |
| Formatua: | Baliabide elektronikoa Liburu kapitulua |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639018 |
MARC
| LEADER | 00000naa0a2200000 4500 | ||
|---|---|---|---|
| 001 | 639018 | ||
| 005 | 20250212113704.0 | ||
| 035 | |a (RuTPU)RU\TPU\network\3415 | ||
| 035 | |a RU\TPU\network\3411 | ||
| 090 | |a 639018 | ||
| 100 | |a 20150218d2013 k||y0rusy50 ca | ||
| 101 | 0 | |a rus | |
| 102 | |a RU | ||
| 135 | |a drcn ---uucaa | ||
| 181 | 0 | |a i | |
| 182 | 0 | |a b | |
| 200 | 1 | |a Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами |d Parameter degradation of heterostructures AlGaInP at radiation by fast neutrons and gamma quantums |f А. В. Градобоев, К. Н. Орлова, И. А. Асанов | |
| 203 | |a Текст |c электронный | ||
| 300 | |a Заглавие с экрана | ||
| 320 | |a [Библиогр.: с. 66 (3 назв.)] | ||
| 330 | |a Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении. | ||
| 330 | |a Results of radiation resistance research of heterostructures AlGaInP with multiple quantum wells on the example of LEDs with wavelength of 623 nanometers at radiation by fast neutrons and gamma quantums 60Со in passive power mode are presented. It is set that emission power of diodes at radiation decreases in proportion to radiation dose and in inverse proportion to value of working current, thus level of its lowering decreases in process of growth of density of working current used at measurement. | ||
| 333 | |a Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса | ||
| 461 | |t Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру |o научно-технический сборник |f Научно-исследовательский институт приборов |d 1973- | ||
| 463 | |t № 2 |v [С. 64-66] |d 2013 | ||
| 510 | 1 | |a Parameter degradation of heterostructures AlGaInP at radiation by fast neutrons and gamma quantums |z eng | |
| 610 | 1 | |a электронный ресурс | |
| 610 | 1 | |a труды учёных ТПУ | |
| 610 | 1 | |a гетероструктуры | |
| 610 | 1 | |a светодиоды | |
| 610 | 1 | |a быстрые нейтроны | |
| 610 | 1 | |a гамма-кванты | |
| 610 | 1 | |a heterostructures AlGaInP | |
| 610 | 1 | |a LEDs | |
| 610 | 1 | |a fast neutrons | |
| 610 | 1 | |a gamma quantums | |
| 700 | 1 | |a Градобоев |b А. В. |c физик |c профессор Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, доктор технических наук |f 1952- |g Александр Васильевич |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\24213 |9 10707 | |
| 701 | 1 | |a Орлова |b К. Н. |c физик |c доцент Юргинского технологического института (филиала) Томского политехнического университета, кандидат технических наук |f 1985- |g Ксения Николаевна |3 (RuTPU)RU\TPU\pers\28212 |9 13166 | |
| 701 | 1 | |a Асанов |b И. А. |g Иван Александрович | |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра естественного научного образования (ЕНО) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18894 |
| 712 | 0 | 2 | |a Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) |b Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) |b Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ) |3 (RuTPU)RU\TPU\col\18930 |
| 801 | 2 | |a RU |b 63413507 |c 20150507 |g RCR | |
| 856 | 4 | |u http://elibrary.ru/item.asp?id=19091587 | |
| 942 | |c CF | ||