Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами
| Parent link: | Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру: научно-технический сборник/ Научно-исследовательский институт приборов.— , 1973- № 2.— 2013.— [С. 64-66] |
|---|---|
| Autor principal: | |
| Autor corporatiu: | , |
| Altres autors: | , |
| Sumari: | Заглавие с экрана Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении. Results of radiation resistance research of heterostructures AlGaInP with multiple quantum wells on the example of LEDs with wavelength of 623 nanometers at radiation by fast neutrons and gamma quantums 60Со in passive power mode are presented. It is set that emission power of diodes at radiation decreases in proportion to radiation dose and in inverse proportion to value of working current, thus level of its lowering decreases in process of growth of density of working current used at measurement. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса |
| Publicat: |
2013
|
| Matèries: | |
| Accés en línia: | http://elibrary.ru/item.asp?id=19091587 |
| Format: | Electrònic Capítol de llibre |
| KOHA link: | https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639018 |