Деградация параметров гетероструктур AlGaInP при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами; Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру; № 2

Dettagli Bibliografici
Parent link:	Вопросы атомной науки и техники. Серия: Физика радиационного воздействия на радиоэлектронную аппаратуру: научно-технический сборник/ Научно-исследовательский институт приборов.— , 1973- № 2.— 2013.— [С. 64-66]
Autore principale:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Enti autori:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Altri autori:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна, Асанов И. А. Иван Александрович
Riassunto:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении. Results of radiation resistance research of heterostructures AlGaInP with multiple quantum wells on the example of LEDs with wavelength of 623 nanometers at radiation by fast neutrons and gamma quantums 60Со in passive power mode are presented. It is set that emission power of diodes at radiation decreases in proportion to radiation dose and in inverse proportion to value of working current, thus level of its lowering decreases in process of growth of density of working current used at measurement. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Lingua:	russo
Pubblicazione:	2013
Soggetti:	электронный ресурс труды учёных ТПУ гетероструктуры светодиоды быстрые нейтроны гамма-кванты heterostructures AlGaInP LEDs fast neutrons gamma quantums
Accesso online:	http://elibrary.ru/item.asp?id=19091587
Natura:	MixedMaterials Elettronico Capitolo di libro
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639018

Descrizione
Riassunto:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования радиационной стойкости гетероструктур AlGaInP с множественными квантовыми ямами на примере светодиодов с длиной волны излучения 623 нм при облучении быстрыми нейтронами и гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Установлено, что мощность излучения диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока, при этом уровень ее снижения уменьшается по мере роста плотности рабочего тока, используемого при измерении. Results of radiation resistance research of heterostructures AlGaInP with multiple quantum wells on the example of LEDs with wavelength of 623 nanometers at radiation by fast neutrons and gamma quantums 60Со in passive power mode are presented. It is set that emission power of diodes at radiation decreases in proportion to radiation dose and in inverse proportion to value of working current, thus level of its lowering decreases in process of growth of density of working current used at measurement. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса

Documenti analoghi