Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами; Журнал радиоэлектроники; № 4

Chi tiết về thư mục
Parent link:	Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998- № 4.— 2013.— [6 с.]
Tác giả chính:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Nhiều tác giả của công ty:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Tác giả khác:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна, Асанов И. А. Иван Александрович
Tóm tắt:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй - имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока. Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays 60Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Ngôn ngữ:	Tiếng Nga
Được phát hành:	2013
Những chủ đề:	электронный ресурс труды учёных ТПУ гетероструктуры AlGaInP радиационная стойкость светодиоды heterostructures AlGaInP radiation hardness light-emitting diodes
Truy cập trực tuyến:	http://elibrary.ru/item.asp?id=19008577 http://jre.cplire.ru/koi/apr13/7/text.pdf
Định dạng:	MixedMaterials Điện tử Chương của sách
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639014