Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами

Исследование деградации мощности излучения гетероструктур AlGaInP красного и желтого цвета свечения при облучении гамма-квантами

Bibliographic Details
Parent link:	Журнал радиоэлектроники: электронный журнал/ Российская академия наук (РАН), Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова (ИРЭ).— , 1998- № 4.— 2013.— [6 с.]
Main Author:	Градобоев А. В. Александр Васильевич
Corporate Authors:	Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра естественного научного образования (ЕНО), Национальный исследовательский Томский политехнический университет (ТПУ) Юргинский технологический институт (филиал) (ЮТИ) Кафедра безопасности жизнедеятельности, экологии и физического воспитания (БЖДЭФВ)
Other Authors:	Орлова К. Н. Ксения Николаевна, Асанов И. А. Иван Александрович
Summary:	Заглавие с экрана Представлены результаты исследования деградации параметров гетероструктур AlGaInP красного (630 нм) и желтого (590 нм) свечения на примере светодиодов при облучении гамма-квантами 60Со в пассивном режиме питания. Показано, что деградация светового потока обусловлена введением двух типов центров безизлучательной рекомбинации радиационного происхождения. Первый центр, предположительно, связан с радиационной перестройкой имеющейся дефектной структуры, а второй - имеет чисто радиационное происхождение. Установлено, что световой поток диодов при облучении уменьшается пропорционально дозе облучения и обратно пропорционально величине рабочего тока. Research results of red (630 nm) and yellow (590 nm) InGaAlP heterostructures are presented as an example the light-emitting diodes under irradiation by gamma rays 60Со. An operating mode is passive. The process of degradation light output power is shown in two stages. In the first stage decrease is caused by first type center of nonradiative recombination. It is possible, first type is explained reorganization of existing defect structure. The second type is explained to injection of the centers of purely radiative origin. It is postulated, that light output power decreases proportionally dose gamma-irradiation and inversely operating current. Режим доступа: по договору с организацией-держателем ресурса
Published:	2013
Subjects:	электронный ресурс труды учёных ТПУ гетероструктуры AlGaInP радиационная стойкость светодиоды heterostructures AlGaInP radiation hardness light-emitting diodes
Online Access:	http://elibrary.ru/item.asp?id=19008577 http://jre.cplire.ru/koi/apr13/7/text.pdf
Format:	Electronic Book Chapter
KOHA link:	https://koha.lib.tpu.ru/cgi-bin/koha/opac-detail.pl?biblionumber=639014

Internet

http://elibrary.ru/item.asp?id=19008577
http://jre.cplire.ru/koi/apr13/7/text.pdf